离子体反应

设备、等离子体刻蚀机、PECVD、非晶硅玻璃基片清洗设备等。与很多光伏企业一样，捷佳创成立的时间并不长，但在业内形成了一定的口碑与知名度，特别是在清洗设备市场中占有率颇高。据了解，该公司市场触角延伸得
对太阳能硅片进行清洗，以去除其表面的一些颗粒、金属离子以及有机物。但太阳能硅片清洗的好坏在一定程度上会影响硅片的质量，处理不当会损害硅片的稳定性与可靠性，甚至使得整个产品报废。由于太阳能硅片在进入每道工艺

，之前大家都在抱怨缺乏一个政策，现在政府就推出这个政策，然后看市场的反应。如果有问题，再调整。如果市场过度火爆，那么肯定会下调。这个政策本身就留了不少余地，而且留得很狠。这不像德国，德国规定了每年下降多少
仍达80%以上。薄膜电池有成本低，质量轻，透光性较好，柔韧性好，易于与建筑材料集成的特点，在建筑一体化（BIPV）领域具有显著的应用优势。CPV技术因其转化效率高、土地占用面积小，节能减排效果好，是

两个表面同时进行清洗、干燥。首先磁控溅射沉积金属和金属氧化层，以增强衬底的反射率。然后采用等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积非晶硅层，以形成叠层太阳电池结构，这是整个制造过程中最关键的工艺步骤
。对于三结非晶硅太阳电池来说，需要在已经做好的背反射器的表面连续沉积9层硅基薄膜，包括3个P-I-N结子电池，各分离的反应室之间需要设计独特的气氛隔离室以防止相邻反应室间的气体交叉污染。硅基薄膜沉积完成

磷硅玻璃等工艺。实验用到的气体有SiH4，NH3，N2。腐蚀溶液为HF酸。SiH4和NH3气体分别用于等离子体增强型化学气相沉积法沉积SiN薄膜，为安全起见，SiH4由氮气稀释至10％，NH3浓度为
的少子寿命测试仪。实验材料：材料采用P型(100)的直拉的125mmx125mm单晶硅片，电阻率约为0．5～3Ω·cm，厚度200+50μm。在实验前经过硅片清洗和制绒，磷扩散，等离子刻蚀，去除

部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中往除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，往除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中往除磷和碳杂质
氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和产业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅

形成800吨/年的生产能力，全量供给SHARP公司。 　　主要工艺是：选择纯度较好的产业硅（即冶金硅）进行水平区熔单向凝固成硅锭，往除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体
在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。 　　国内外现有的多晶硅厂尽大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。 　　2 硅烷法——硅烷热分解法 　　硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金

近年来一直是高分子半导体器件等领域研究的热点。而随着研究的深入，其中的聚（3丁基噻吩）的科研价值也逐渐被发现，尤其是其在有机聚合物太阳能电池和半导体/绝缘体复合材料等方面的研究成果更是引起了该领域的
），通过使用选择性催化剂，将聚（3丁基噻吩）的区域规整度保持在95%以上。并通过控制反应条件使聚合物分子量在4000到20000范围内可调，而聚合物多分散系数可以保持在1.1以内。同时，该种聚（3丁基

企业将充分发挥规模优势，降低生产成本。　　1月8日，中国首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备等离子体增强型化学气相沉积设备（PECVD）在上海成功下线，这被视为中国在新能源高端装备领域取得的
%，但依然难以拉低高昂的上网电价。虽然我国政府相继出台了光电建筑一体化、金太阳工程等一系列扶持光伏产业发展的政策，但随着国外一些国家逐步削减对太阳能发电的补贴以及国内对光伏发电业尤为重要的上网电价法

不久，一种更给力并实惠的能源将走入寻常百姓家。近日首台代表着国际尖端技术水平的薄膜太阳能电池关键生产设备――等离子体增强型化学气相沉积设备（PECVD）在位于上海张江的理想能源设备公司正式下线。这台
。 　 据介绍，一片约1.5平方米的普通平板玻璃完成导电层覆膜后，进入PECVD反应腔，完成化学气象材料叠层结构的覆膜，厚度增加了两个微米，即成为转化率可达10％的薄膜太阳能电池。代表第二代光伏技术的

近日，我国首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备等离子体增强型化学气相沉积设备（ＰＥＣＶＤ）在上海成功下线，这被视为中国在新能源高端装备领域取得的零的突破。中国制造的ＰＥＣＶＤ性能领先于
总经理钱学煜介绍，一片１．１米１．４米的普通平板玻璃完成导电层覆膜后，进入ＰＥＣＶＤ反应腔，完成化学气象材料叠层结构的覆膜，厚度增加了两个微米，即成为转化率可达１０％的薄膜太阳能电池。　 ２００９