（二）非晶硅太阳能电池进一步的发展与现状

来源：solarbe.com发布时间：2007-05-22 17:12:10

5．新技术探索

为了提高非晶硅太阳电池的初始效率和光照条件下的稳定性，人们探索了许多新的材料恰工艺。比较重要的新工艺有：化学退火法、脉冲虱灯光照法、氢稀释法、交替淀积与氢卫法、掺氟、本征层掺痕量硼法、等。此外，为了提高a-Si薄膜材料的掺硼效率，用二基硼代替二乙硼烷作掺杂源气。为了获得a-Si膜的高淀积速率，采用二乙硅炕代替甲硅烷作源气。

所谓化学退火，就是在一层一层生长a一Si薄膜的间隔，用原子氢或激活的Ar、He原子来处理薄膜，使表面结构弛豫，从而减少缺陷和过多的氢，在保证低隙态密度的同时，降低做衰退效应，这里，化学处理粒子是用附加的设备产生的。

氢稀释法则采用大量（数十倍）氢稀释硅炕作源气淀积a-Si合金薄膜，实际上，一边米薄膜一边对薄膜表面作氢处理，原理一样，方法更简单，效果基本相当。

交替淀积与氢处理则是：重复进行交替的薄膜淀积与氢等离子体处理。这是上述两种方以结合。脉冲氖灯光照法是在一层一层生长a-Si薄膜的问隔，周期地用脉冲氖灯光照处嘟膜表面，稳定性有显著提高。在制备a-Si的源气中加入适量的四氟化硅就可实现a-Si以．掺氟使畦网络结构更稳定。本征8si呈弱N型，掺入痕量硼可将费来能级移向带隙中央，既可提高光灵敏度又可减少先致衰退。

6．新制备技术探索

射频等离子体强CVD是当今普遍采用的制备a一Sl合金薄膜的方法。它的主要优，权是：可以用较低的衬底温度（200℃左右），可以重复制各大面积均匀的薄膜，制得的氢化a-Si合金薄膜无结构缺陷、台阶复益良好，隙态密度低，光电子特性符合大面积太阳电池的要求。此法的主要缺点也是致命的缺点是，制备的a-Si膜含氢量高，通常有的10％-5％氢含量。光致衰退比较严重。因此，人们一方面运用这一方法实现了规模化生产；另一方面又不断努力探索新的制备技术。

与RF-PECVD最近邻的技术有，超高真空PECVD技术，甚高频（VHF ） PECVD技术和微波（包括ECR） PECVD技术。激发等离子体的电磁波光子能量不同，则气体分解粒子的能量不同，粒子生存寿命不同，薄膜的生成及对膜表面的处理机制不同，生成膜的结构、电子特性及稳定性就会有区别。 yHF和微波PECVD在微晶硅的制备上有一定的优势。

其它主要其新技术还有，离子束淀积a一si薄膜技术，H0M0一CVD技术和热丝CVD技术等。离子束淀积a-Si合金薄膜时，包括硅烷在内的反应气体先在离化室离化分解，然后形成离子束，淀积到衬底上，形成结构绞稳定的a一Sl合金薄膜。 H0M0一CVD技术通过bo热气体，仪之热分解，分解粒子再淀积在衬底上。成膜的先级粗子寿命校长，膜的电子性能良好，氢含量低，稳定性较好。这两种技术成膜质量虽好，但难以形成产业化技术。热丝CVD技术也是较有希望的优质薄膜硅的高速制备技术。