碘基钙钛矿薄膜
位阻设计使双自由基分子展现出更致密、均匀的界面层三、界面工程：与钙钛矿的完美协同双自由基SAMs显著改善钙钛矿薄膜质量：抑制分子堆叠：RS-2的二聚化能比MeO-2PACz高，溶液加工性更优提升薄膜
可调的钙钛矿材料，可将两个或多个能带互补的子电池集成于单一器件(如框1所示)，该技术通过减少光子热化损失，使认证能量转换效率(PCE)突破30%，显著优于单结硅基(27.4%)和钙钛矿(26.7
：d为NBG薄膜中Sn²⁺氧化为Sn⁴⁺的电子损失示意图;e展示Sn²⁺在空气中易氧化及Sn粉还原Sn⁴⁺的现象;f描述钙钛矿晶界钝化与体相结晶调控策略;g对比反溶剂与气体淬火法制备WBG薄膜的截面
铟IZRO替换ITO，减小透明电极的寄生吸收。最终将钙硅4端叠层器件的效率由23.3%提升至26.2%。(2020年Science)在绒面硅表面沉积微米级厚度的钙钛矿薄膜。为了克服微米厚度钙钛矿中的
图3脒基二维/三维异质结构的稳定性a-d) 钙钛矿薄膜在85℃氮气环境中热退火120小时期间的XRD图谱演变：a) PEAI表面钝化薄膜b) PEAI体相+表面协同钝化薄膜c) NAMI表面钝化薄膜d
众所周知，MACl是一种能够制备高质量碘基钙钛矿薄膜的神奇添加剂，可改善薄膜形貌并减少缺陷(Joule, 2019, 3, 2179)。然而，即使采用高灵敏度的XPS技术也难以在最终形成的钙钛矿
(PQDs)优势包括相位稳定性高、带隙可调、无需高温退火。目前效率纪录达18.1%，但表面配体影响电荷传输。2. 锡基钙钛矿作为无铅替代品，具有更低毒性、更窄带隙，但易氧化。常用甲脒锡碘FASnI₃材料
。结果表明，2-PO 的引入有效抑制了钙钛矿在结晶过程中及在光照和电偏压条件下运行时碘相关可迁移离子的生成。同时，碘电离能的提升促进了 PbI₂ 与 FAI 之间的反应，减少了薄膜中的残余 PbI
)。退火处理：薄膜在100°C下退火20分钟。混合钙钛矿制备：FAPbI3/MAPbBr3混合体系：按95:5比例混合1.2 M甲脒铅碘(FAPbI3)与甲基铵铅溴(MAPbBr3)溶液(DMF
开发基于卤化物钙钛矿的高功率光电器件提供了策略。创新点：1.多功能稳定剂APAB的设计与合成开发了一种含甲脒基(formamidine)的多功能稳定剂APAB，其分解温度超过200°C，通过以下机制提升
钙钛矿稳定性：缺陷钝化：APAB的-COOH基团钝化Pb²⁺缺陷，-C(NH₂)₂⁺基团与I⁻/SCN⁻形成氢键，抑制碘空位和非辐射复合。相变抑制：在高温(100-150°C)下维持α-FAPbI₃相
澳大利亚新南威尔士大学 (UNSW) 悉尼分校的研究人员为氯碘基钙钛矿引入了一种新的缺陷钝化策略。通讯作者 Ashraful Hossain
Howlader 告诉采访者，与对照样品相比，这种
新方法将电池的效率提高了约 15%，同时也使其对环境更加稳定。“尽管光电子特性很有前途，但事实上，由于氯和碘之间的半径不匹配，离子迁移在基于氯化碘的钙钛矿太阳能电池中是不可避免的，”Howlader
