硅薄膜
材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成“交钥匙”工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜
%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10
自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%等。《专项规划》还对大规模并网电站、分布式发电、直流并网、太阳能热利用等方面提出了具体要求。为实现以上目标，《专项规划》明确了十二五期间光伏技术发展的
最高技术水平，能够大规模量产具有完全自主知识产权的太阳能电池。以薄膜太阳能技术演进为例，目前汉能控股集团自主研发的环保无污染第二代、第三代非晶硅薄膜技术，具有自主知识产权，产品获得欧洲严格的认证，已经
建筑物屋顶及外立面相结合，每个建筑就是一座小型发电站，实现自发自用，多余上网，不用占地，不需要远距离传输。从技术来看，目前国内企业自主研发的环保无污染第二代、第三代非晶硅薄膜技术，达到了世界先进水平
拓展一体两翼（以新能源为龙头，以信息科技和股权投资为两翼）发展战略并取得重要成就的一年。公司大举投入、全面拓展海外光伏系统集成业务，大力推进非晶硅薄膜生产双线调试生产和技术升级，大大提升了新能源产业在
，综艺光伏生产的非晶硅薄膜太阳能电池继２０１０年获得欧洲ＴＵＶ认证后，于２０１１年先后顺利通过了国内金太阳认证，英国ＭＣＳ认证和美国ＵＬ认证。２０１１年底，综艺光伏获得了国家高新技术企业认定，成为公司
折射率增加到2.3时，表面复合速度降到20cm/s以下。而最佳的体钝化则出现在折射率n位于2.1至2.2之间。为了整合氮化硅薄膜三方面的优势，达到优势最大化的目的，我们提出了一种新方法，即双层氮化硅
，结果见表1。丝网印刷正背电极以及铝背场，烧结制成成品电池片。表1氮化硅薄膜的结构参数(折射率在633nm处)3结果与讨论图1给出了表1中对应的未印刷电极时氮化硅减反膜在空气中的反射率，可以看出在短波部分
材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成"交钥匙"工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜
50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。为保证《规划》顺利
能力；（3）单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%；（4）突破100MW级并网光伏电站、100MW级城镇多点接入生态居住小区光伏系统技术、10MW
膜太阳电池中试制造技术，非真空电沉积柔性CIGS薄膜太阳电池中试制造技术，量子点电池、热光伏电池、硅球电池、多晶硅薄膜电池、有机电池等新型太阳电池的前沿制备技术,高温直通式真空管及槽式聚光集热实验平台等
