硅薄膜太阳能电池
非晶硅薄层上用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜，最后制备金属栅极。
HIT太阳能电池的优势
低温工艺
由于使用a-Si构成PN结，所以能在200℃以下的低温完成整个工序，远低于传统晶硅太阳电池的形成
温度(~900℃)。低温制造工艺可以有效减少热应力对膜产生的变形影响，加上两侧对称的非晶硅薄膜构造，电池基底的热损伤大大降低，有利于实现晶片的轻薄化和高效化。
高稳定性
HIT太阳电池Voc越高
理想的减反射膜材料。而且，钝化膜制备过程中还能对硅片产生氢钝化的作用，能显著改善硅太阳电池的光电效率。
在实际的晶体硅太阳能电池工艺中，氮化硅薄膜作为一种常见的钝化膜，其折射率在1.8～2.5，因此
氢化氮化硅薄膜，使用这种方法可以增加硅太阳能电池生产量并降低其生产成本。
3.2 氢化非晶硅
非晶硅(a-Si)薄膜作为重要的非晶态半导体材料具有特殊的结构和光电性质。但是，由于薄膜内部大量的悬挂键
建筑结构与装饰成本。
2.4 光伏幕墙不用单独建设厂房、车间，依附在房屋工程上，可节地、节省发电基建费用。
2.5 系统采用太阳能电池组件，使用寿命长，25年，衰减小，具备良好的耐候性，防风、防雹。能有
降低工程、设备成本，提高系统的性价比。
4 建筑一体化设计：必须与建筑工程有机结合，把太阳能电池组件和屋面或墙面相结合，形成建筑物的组成部分并增加建筑整体美感。
5 选址依据：太阳能组件的放置应在
效光电学研究中心兼任执行研究主任，澳大利亚科学院院士，也是工程技术学院及国际电工委员会的委员。同时担任南玻集团经理。该公司专门生产并销售南威尔士大学研制的多晶硅薄膜太阳能电池。
格林教授领导的小组对光
具有国际先进水平的10兆瓦太阳能电池生产线成功上线生产，到年底已经开始盈利。2003年同样在预算紧张的情况下，尚德又上线了第二条15兆瓦的电池生产线。
根据财务报告，尚德在2002和2003年共花了250
日前，一项由德国卡尔斯鲁厄理工学院的Hendrik hol scher博士主导的研究将蝴蝶翅膀上的纳米孔状结构应用于薄膜太阳能电池，成功将其吸光率提升至原先的200%。
该团队研究的蝴蝶叫红珠
孔型的吸光率。
研究发现，在不同波长、不同角度的入射光下，与周期性排列的单纳米孔相比，红珠凤蝶的不规则孔具有更为稳定的吸光率。
因此，研究人员模仿蝴蝶翅膀上的这种结构，在薄膜太阳能电池的硅吸收层
太阳能电池工艺流程
资料来源：OFweek行业研究中心
制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，其对工艺清洁度要求极高，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，目前通常用PECVD法制备。
HIT
称为HJT或SHJ(Silicon Heterojunction solar cell)。该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，当时转换效率可达到14.5%(4mm2的电池)，后来
，或者走国内联合幵发的道路。
在现在太阳能电池髙成本的推动下，桂片制备的技术进步很快，鞋片越来越薄，成本越来越低。因此投资多晶桂片的制备要注重技术的引进和消化吸收，做好技术积累。另外，可以投资多晶桂
动力，积极步入量产规模化，可望使其量产成本再下探。
多晶太阳能电池在效率拉升上已遇到瓶颈点，即使多晶视之为杀手锏的黑硅技术，被认为在成本、效率上可望大有进展，但是，目前看来量产成熟度仍不如预期，即使
成熟，因此目前应用较多的太阳能电池主要包括单晶硅、多晶硅以及非晶硅薄膜太阳能电池。 太阳能电池分类 数据来源：公开资料整理 从各类太阳能电池市场份额的变化来看， 多晶硅的高性价比使其
近日，国家知识产权局公示了第十九届中国专利奖获奖项目。阿特斯阳光电力集团的发明专利 一种抗PID晶体硅太阳能电池制作方法 荣获第十九届中国专利优秀奖。中国专利奖是国家专利领域的最高奖项。
阿特斯
此次获奖专利，首次提出了一种抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法。本专利通过臭氧氧化的工艺，在硅基底与氮化硅之间迅速的生成一层薄而致密的氧化硅层，该氧化硅层既满足抗PID的需求，又避免了氧化硅层过厚带来
发展光伏建筑一体化潜力巨大、正当其时我国太阳能产业起步虽晚，但发展速度很快。 2004年我国太阳能电池产量仅占世界5％的份额，到2007年产量跃居全球首位，2010年所占全球份额已经超过50％。遗憾的是
，中国是太阳能电池的制造大国，却是使用小国，我们85%以上的产品用于出口，内需迟迟不能打开，目前国内光伏发电占社会用电总量不到0.1％，远远落后于发达国家，主要采取的还是规模开发、集中送电的单一模式
