硅片制绒
波长范围400～1000 nm 内，对太阳光的反射率高达30%～40%。在晶体硅太阳电池研究过程中，常采用化学法制绒技术对硅片表面腐蚀，以达到减少硅晶片对太阳光的反射。目前，硅晶体表面的制绒技术是
造成晶棒的氧含量高，位错密度大，内应力大，电阻率不均匀等现象，进而会严重影响太阳能电池的效率与稳定性。 8)加强电池生产工艺的过程控制。 在制绒过程中，尽量要使绒面小而均匀，要求做到无色差、花篮印
切割过程中金刚石颗粒大小不一致，金刚石颗粒分布不均，硅片表面容易产生较大划痕，影响制绒和硅片的转换效率。 2、 金刚石颗粒密度过大，硅粉容易附着在钢线表面，降低金刚线切割能力;金刚石颗粒密度过小，出刃
。 然而，多晶硅片在使用金刚线切割时，经过常规制绒工艺后，表面反射率更高并有明显的线痕等外观缺陷，严重降低电池效率，阻碍了金刚线切多晶硅片的大规模推广。因此，目前金刚线用于多晶硅片切割的主要障碍在于电池制绒
0.6-0.8 元，单晶与多晶硅价差一度下降至 0.6 元左右的性价比阈值。多晶在解决了新型制绒技术如干法黑硅技术、湿法黑硅技术等等问题后，金刚线切割多晶影响电池效率的主要障碍得到了解决，同样能大幅
，陶瓷材料。由于具备效率高，成本低，低 TTV，无污染等诸多优点，近年来正在逐渐代替国内传统的砂浆切割手段，并且替代速度逐年升高。
由于目前国内光伏建设发展迅猛，对单晶、多晶硅片的需求量不断提升的
问题，二是金刚线切割的损伤层比较浅， 使得传统的HF/HNO3制绒技术不能产生良好的光学性能。目前，保利协鑫等多晶行业龙头企业已通过黑硅等技术手段较大程度上的克服了上述问题，并推出了相关金刚线切割的
较小。另外，金刚线切割造成的损伤层小于砂浆线切割，有利于切割更薄的硅片。更细的线径、更薄的切片有利于降低材料损耗，提高硅片的出片率。2015年的硅片厚度多为 180m，砂浆切割的刀缝损耗大约
实验 采用NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理，硅片的厚度为19010m，电阻率为20.5cm。分别对硅片进行单面POCl3磷扩散，等离子增强化学气相沉积(PECVD)法
覆盖BSF电池相同。电池前表面涂覆了一层均匀的发射极(重掺杂n+层)，是在使用各向异性刻蚀法对硅片表面进行制绒后在其上面进行热扩散磷元素掺杂而成的。 在发射极顶部，有一层由PECVD工艺沉积而成的
制作流程一般为：制绒- 扩散-刻蚀-ALD- 正面PECVD- 背面PECVD- 激光开槽- 丝网印刷。随着PERC 电池的量产，在EL测试中，EL 测试仪总能测出正面发暗的电池片，如图2 所示
( 制绒- 扩散-刻蚀- 正面PECVD- 丝网印刷) 制作，另外100片按照前文所述的PERC 电池流程制作;同时，保证在电池片制作过程中都选用同种设备进行，以减小误差。制作结果如表1 所示，PERC
单晶电池(HBC)实现了26.6%的光转化效率;弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)使用等离子表面制绒技术以及隧道氧化层钝化接触(TOPCon)技术，实现多晶转换效率达22.3%。
上述世界效率纪录的
至背面形成IBC结构来减少入射光的损失;背面进行平整化处理，增加背反射层将透射光重新反射入硅片表面形成二次反射从而增加光学吸收;设计双面电池结构，增加背面入射光，实现更大的光学吸收利用;
(2)减少内部
