硅片制绒
NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理，硅片的厚度为190±10μm，电阻率为2±0.5Ω·cm。分别对硅片进行单面POCl3磷扩散，等离子增强化学气相沉积(PECVD)法单面
文章使用制绒混合溶液对金刚线多晶硅片制程不良片进行制绒返工。方案通过调整制绒溶液浓度来控制刻蚀深度，通过补加制绒添加剂控制硅片表面反射率。实验分析了三种制绒返工方案所制电池片的外观形貌和电学参数
(SNEC)上签署全方位战略合作协议。此次签约内容不仅包括中宇光伏目前专注的常规DWC添加剂制绒、MCCE(黑硅)项目，也包括该公司将发力的单晶PERC(钝化发射极及背局域接触)、SE(选择性发射极
，能够第一时间满足中宇光伏不断发展的提效需求，助力他们可持续前进。
贺利氏和中宇光伏的合作始于其2010年建厂之初，从最初的砂浆硅片、单次印刷，到现阶段的金刚线添加剂单次印刷、分步印刷、黑硅工艺，贺利氏
。 保利协鑫TS+第二代黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，更加兼容高效多晶PERC技术。自问世以来，以其高效、稳定的产品表现，获得市场的一致
具有性价比优势。全面完成金刚线切割转换后，通过铸锭和切片环节的工艺技术改进，多晶硅片仍有较大的降本空间，而且每年可以提升0.1%-0.2%的转换效率。同时，保利协鑫研发的TS+第二代黑硅片，制绒成本
湿法黑硅技术的量产完美解决了这一难题。 在报告中，金善明着重介绍了保利协鑫TS+第二代黑硅片。他指出，TS+第二代黑硅片开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，正面优质的表面陷光结构与背面高亮的
%;其中300W以上的比例超过56%。 湿法黑硅技术提供了高效多晶硅片的另一种选择。保利协鑫研发的TS+第二代黑硅片，制绒成本降低约30%，背面抛光工艺并更适用于PERC技术。通过一系列工艺技术优化
，荣获本届展会十大亮点、一带一路评选多项大奖。 保利协鑫：多晶黑硅TS+荣获SNEC最高级太瓦钻石奖 保利协鑫TS+第二代黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和
表面质量方面，提升方法主要有：控制湿法黑硅制绒片的反射率、加大隐裂检查、降低表面金属离子残留、减少线痕等。
沿着这些路径，保利协鑫进行了多种高效产品的研发，并提供定制化产品解决方案以满足市场需求。以
的发展。
万跃鹏表示，硅片主要从晶体质量和表面质量两个维度影响了电池转换效率。在晶体质量方面，提升方法主要有：提升少子寿命、降低多晶硅片的位错密度、降低氧浓度、降低碳浓度、收窄电阻率分布等。而在
黑硅技术助推金刚线切多晶硅片大规模应用，相关企业营收、净利润实现双增长。2014年至2016年，金刚线切割硅片被率先应用于单晶硅片切割。由于金刚线切割多晶硅片导致电池片制绒工艺后硅片反射率过高，2017年
