电极浆料

，最后通过丝网印刷在两侧制备金属电极，再烧结退火，这样就制成了异质结电池。 传统异质结电池以P层为入光面，近年来业内普遍改为N型作入光面，在电池结构上形成TCO-N-i-N-i-P-TCO对称结构
之后就进入PVD或RPD设备，沉积透明金属氧化物导电膜TCO。TCO纵向收集载流子并向电极传输。非晶硅层晶体呈长程无序结构，电子与空穴迁移率较低，横向导电性较差，不利于光生载流子的收集，因此需要在正面

。 工艺：核心工艺与PERC完全不同 异质结电池四步核心工艺为清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、印刷电极与烧结。与PERC工艺的区别在于：1)非晶硅薄膜沉积环节，使用PECVD或RPD沉积本征
氢化非晶硅层和P型/N型氢化非晶硅层;2)镀膜环节使用PVD沉积TCO导电膜;3)印刷电极方面需使用低温银浆;4)烧结过程需控制低温烧结。 成本：设备与耗材未来降本空间大 目前异质结电池

异质结需采用低温工艺，这一工艺对产品的品质影响也很大。而当使用微晶硅代替发射极非晶硅时，ITO的忍受度更大，浆料可能可以从200℃提升到300℃甚至350℃，这对电极导电性有着正面的影响。 三是低温
涉及的技术包括掺杂层、TCO、电极、主栅和组件技术，其中掺杂层目前主流的是非晶硅态，但是现在也已经有关于纳米晶硅、微晶硅、多晶硅、碳化硅、氧化硅等结晶态的研究。 TOPCon技术实际上分为两种

输出提供高导通路，是决定电池转化效率和成本高低的主要影响因素之一。 与传统晶硅电池生产工艺不同，异质结技术全部制程采用低温工艺，决定了其电极的制备工艺的不同。在电池制造商积极布局异质结技术的背景下
，浆料及金属化技术厂商积极跟进相关的市场进度，率先开发先进的金属化技术并抢占市场显得极为必要。 王文静指出，未来异质结可在设备、原材料及整体运营成本三个方面实现降本。目前异质结电池初步进入大规模生产

。DuPont 通过高性能浆料，成为工业创新的先驱者，持续提升太阳能光伏组件的效率和发电量。N-PERT电池方面，Solamet PV3Nx 商业化应用已超过7年，新的PV3Nx系列优化了硼电极的接触
Solamet导电浆料、TedlarPVF薄膜、Fortasun光伏硅胶等，以30年+的实绩表现驱动更低度电成本和更高投资回报。 夏季介绍了DuPont Solamet 引领的电池效率革新

。 工艺：核心工艺与PERC完全不同 异质结电池四步核心工艺为清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、印刷电极与烧结。与PERC工艺的区别在于：1)非晶硅薄膜沉积环节，使用PECVD或RPD沉积本征
氢化非晶硅层和P型/N型氢化非晶硅层;2)镀膜环节使用PVD沉积TCO导电膜;3)印刷电极方面需使用低温银浆;4)烧结过程需控制低温烧结。 成本：设备与耗材未来降本空间大 目前异质结电池

。 工艺：核心工艺与PERC完全不同 异质结电池四步核心工艺为清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、印刷电极与烧结。与PERC工艺的区别在于：1)非晶硅薄膜沉积环节，使用PECVD或RPD沉积本征
氢化非晶硅层和P型/N型氢化非晶硅层;2)镀膜环节使用PVD沉积TCO导电膜;3)印刷电极方面需使用低温银浆;4)烧结过程需控制低温烧结。 成本：设备与耗材未来降本空间大 目前异质结电池

选择性发射极(iveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合
方块电阻可提高开路电压和短路电流，但是在丝网印刷方式下，Ag电极与低表面掺杂浓度发射极的接触电阻较大，最终会由于填充因子的下降从而引起转换效率降低。 为了兼顾开路电压、短路电流和填充因子的需要

选择性发射极(selectiveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面
参数之一。 适当提高方块电阻可提高开路电压和短路电流，但是在丝网印刷方式下，Ag电极与低表面掺杂浓度发射极的接触电阻较大，最终会由于填充因子的下降从而引起转换效率降低。 为了兼顾开路电压、短路电流

镀上深蓝色的氮化硅减反射膜，颜色均匀美观; 4.应用高品质的金属浆料制作背场和电极，确保良好的导电性。 单晶PERC转化率比较高，温度系数比较低一些，工作温度相对比较低，所以它是发电量相对会比普通的