氮化硅

太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。 　　在高效太阳电池上常采用表面氧钝化的技术来提高太阳电池的效率，近年来在光伏级的晶体硅

硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。在高效太阳电池上常采用表面

采用了激光掺杂选择性发射极技术，并使用铜代替银作为正面电极材料，这一改变使电池成本降低了约30%. 据称，现代团队的关键改进在于调整了正面氮化硅的沉积参数，解决了镀铜工艺的一些难题。现代重工绿色能源

索比光伏网讯:采用等离子体增强气相沉积法制备了双层氮化硅作为多晶硅太阳电池的减反膜，理论模拟了双层氮化硅的光学参数，实际测试情况和理论模拟吻合良好。电池IV参数表明双层氮化硅不但具有更佳的减反射效果

。２.２．４不同的浆科，成分不同，性能不同，对电池的参数影响不同不同浆料对氮化硅膜的穿透能力不同，高温性能不同，从而造成电参数性能的较大差异。在烧兰占ｉ型程中，应根据浆料的不同性质采用不同的烧结工艺。２.３人工

，它可以减少金属与硅交接处的少子复合，从而提高开路电压和短路电流，改善对红外线的响应。烧结质量要求1、最优的电性能参数2、烧结后的氮化硅表面颜色应该均匀，无明显的色差.3、电极无断线4、背场无铝珠5

索比光伏网讯:氮化硅膜作为晶体硅太阳能电池减反射钝化膜是目前太阳能电池制备的主流，然而由于用PECVD来制备的氮化硅膜，是以SixNyHz方式来表达的，其中的x,y,z的数值直接影响了膜的光学性能和
工艺气体总流量的增加，折射率缓慢增加。在用等离子体形成的氮化硅膜的折射率与致密性没有必然的联系，并不是折射率越高致密性就一定高。这点与用LPCVD所形成的氮化硅膜是有差异的。随着工艺气体总流量的增加

进行氮化硅涂层，若涂层黏结不牢则会在铸锭过程中由于热对流作用而进入硅液，产生硬点，而铸锭多晶回用料处理不净也会有 此问题。多晶炉石墨热场配件即为碳部件，铸锭时碳进入硅料，如果某区域碳富集在一定温度下
。因此对辅 料的监控和检验有着犹为重要的意义。同样对于多晶的硬点线痕，控制硅原料质量和坩埚氮化硅涂层工艺比较重要。

的关键，到2017年这一部分将产生6.35亿美元的营业额。目前使用的复杂二元薄膜封装被证明是非常昂贵的，该报告表明在最终组件封装前使用氮化硅、氧化硅或氮氧化硅外衣有降低成本的潜力。报告还预测，先进的

一点点成本。　　在坩埚区，付德林指着一个坩埚内薄薄的一层涂料说，这是用以阻隔硅锭和坩埚的氮化硅粉末，铸一个锭需要大约400克。以前硅片市场价格好的时候，赛维每铸完锭，氮化硅连同坩埚一起丢掉了。现在
市场价格低迷，这些粉末都要回收再利用，全厂使用的氮化硅大约有一半是循环使用的。别看这薄薄一层粉末，赛维一年通过回收可以省下几千万元。　　一些国家为了搞贸易保护，指责中国的光伏企业低价倾销，获得了政府补贴