氮化硅

硅片少子寿命的下降，并引起衬底掺杂浓度的再分布。许多有害杂质也会在高温条件下扩散到硅片体内。早期就有人提出SiNx是理想的减反射膜，而且还可以同时达到表面钝化和体内钝化的效果。PECVD法沉积的氮化硅膜

一重要步骤，同时能提供晶硅太阳能电池整体解决方案的能力，可帮助客户规划有助于提升效率的制程并进一步降低投资及营运成本。VCS 1200 PECVD杰出的表现在于发挥氮化硅及氧化铝层的最佳钝化效果，并且仅
拓展使效率再提升PERC太阳能电池的背面保护层钝化系分为三大步骤，首先，运用化学湿制程抛光电池片的一侧，然后使用电浆辅助化学气相沉积系统在电池片上生成氧化铝薄膜和一层氮化硅，最后再以雷射开启堆栈式绝缘层

采访。 　　SPVI：据我们了解，N型技术就是将磷材料替代运用于P型硅片生产中的硼掺杂物。相比于传统P型工艺，我们发现使用硼材料制造发射器存有挑战，而且在进行钝化处理时使用氮化硅仍存在困难。不过
发射器仍存有挑战，这点其实众所周知。不过，通过Tempress、ECN与英利联合合作，这类问题已得以解决，生产同质量的硼发射器成本已经等同磷发射器。其实，结合氮化硅生产钝化层更为困难。ECN已经发明一种

就是将磷材料替代运用于P型硅片生产中的硼掺杂物。相比于传统P型工艺，我们发现使用硼材料制造发射器存有挑战，而且在进行钝化处理时使用氮化硅仍存在困难。不过，诸如离子注入与大气压强化学气相沉积（APCVD
Tempress、ECN与英利联合合作，这类问题已得以解决，生产同质量的硼发射器成本已经等同磷发射器。其实，结合氮化硅生产钝化层更为困难。ECN已经发明一种新型钝化工艺，并已植入英利的熊猫电池之中。离子植入与

索比光伏网讯:日立化成开发出了可蚀刻氮化硅（SiN）的浆料，并在第12届国际纳米技术综合展（nano tech 2013）上展出。只要利用丝网印刷工艺使该浆料成形，便可只去除浆料下面的SiN。日立

，然后再在该膜的基础上生长一层氮化硅膜进行保护。通过在背钝化膜层采用激光开孔工艺，结合背钝化铝浆和相匹配的烧结工艺，通过降低背面复合速率，提高该开路电压实现单晶电池转换效率的提升。 多晶硅

氧化铝膜层，然后再在该膜的基础上生长一层氮化硅膜进行保护。通过在背钝化膜层采用激光开孔工艺，结合背钝化铝浆和相匹配的烧结工艺实现单晶电池转换效率的提升。多晶硅高效电池的研发主要攻关RIE电池技术。RIE

。 　　Roth & Rau公司的 MAiA PECVD单台设备即可进行氧化铝背面钝化涂层和氮化硅涂层，这无疑将增加系统的工艺安全性，减少不必要的操作环节。InnoLas公司的ILS TT设备则可

平衡控制技术。开发大中小型太阳能并网、离网发电系统、太阳能照明等应用系统、太阳能光伏汽车、太阳能水泵等光伏应用产品。6、配套产品。大力发展高储能蓄电池、逆变器、坩埚、粘合剂、氮化硅、线切割材料、封装材料

韩华新能源（启东）有限公司 8、 少子寿命在单晶硅太阳电池生产中的变化研究------中科院微电子研究所 刘金虎 9、 多晶硅锭坩埚涂层用氧氮化硅粉体的合成-------------南昌大学光伏
学院 尹传强 10、 基于高斯曲面拟合的单晶硅片漩涡缺陷检测方法---上海太阳能工程技术研究中心 11、 利用回收硅锯屑制备坩埚涂层用氮化硅粉-------------南昌大学光伏学院 尹