氮化硅

PECVD的主要性能指标(如表6.1)，PECVD设备的主要特点(如表6.2)，从表6.1和6.2可以看出，该设备成膜种类为氮化硅，这种PECVD成膜均匀性好、稳定性高。每片硅片间不均匀性误差在5

刻蚀，也可用于半导体工艺中多晶硅、氮化硅的刻蚀和去胶。2.工作原理及结构特征(1)设备的基本结构本光伏设备由反应室、真空系统、送气系统、高频电源、匹配器等部分组成，见图5.5所示。图5.5等离子体刻蚀
实验。采用PLC进行工艺自动控制，可靠性高，稳定性好。各电气元器件均采用插装式，便于维修和更换。图5.6等离子体刻蚀机系统示意图3.主要技术指标(1)刻蚀介质掺杂硅、氮化硅(2)刻蚀部位5英寸，6英寸

避免密封胶黄化和电池不能接受到短波长光线的问题。太阳电池的表面沉积了一层氮化硅结构的减反射膜，折射率约为2.1,其上有EVA和钢化玻璃（两者的折射率约为1.48左右），为使组件的透射率达到最大的减反效果
电流；不适合的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。封装试验及讨论不同氮化硅膜厚电池的封装对比选族三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶

。 下一页 太阳电池的表面沉积了一层氮化硅结构的减反射膜，折射率约为2.1，其上有EVA和钢化玻璃（两者的折射率约为1.48左右），为使组件的
焊接过程中存在虚焊、漏焊等焊接不良的问题，会造成较高的接触电阻，降低组件的输出电流；不合适的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。　　封装实验及讨论不同氮化硅

。 Aurora PECVD共有三个型号，是一款用于晶硅光伏电池生产的氮化硅沉积系统。借助OLT太阳能的核心科技，加强化线性中空阴极（ELH）喷头，该设备能够以最快的沉淀速度实现最优质的SiNx(ARC)涂层

避免密封胶黄化和电池不能接受到短波长光线的问题。　　太阳电池的表面沉积了一层氮化硅结构的减反射膜，折射率约为2.1，其上有EVA和钢化玻璃（两者的折射率约为1.48左右），为使组件的透射率达到最大的减反
的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。　　封装实验及讨论　　不同氮化硅膜厚电池的封装对比　　选取三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶

相应就更好，这个效率就更高。再一个在钝化方面，氮化硅方法原来有两种，大家现在更关注的是把管式的高性能用起来，把高产量用起来，也就是像着管式的炉子发展，我想这个PCVD一旦用了以后我们单位产能

用于生产晶体硅太阳能电池的PECVD新系统。Aurora PECVD共有三个型号，是一款用于晶硅光伏电池生产的氮化硅沉积系统。借助OLT太阳能的核心科技，加强化线性中空阴极（ELH）喷头，该设备能够以

只能露出眼睛。扩散完成后，为了减少表面反射，更好吸收太阳光，增加电池的短路电流和输出，需要在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜。之后通过压印的方式，将工业银按预定的图形印刷在基板上，从而在电池表面形成正

，它也在薄膜太阳能锂电池的生产过程中占据重要地位。 摩根技术陶瓷所使用的主要原材料包括高纯度氧化铝、熔融石英、莫来石、热解氮化硼坩埚、碳化硅以及氮化硅。这些工程部件以及组件提供了稳健、惰性与