氢氯化反应
状无规则绒面。处理方式区别主要在与单多晶性质的区别。
工艺流程：制绒槽→水洗→碱洗→水洗 →酸洗→水洗→吹干。
一般情况下，硅与HF、HNO3(硅表面会被钝化)认为是不反应的。当存在于两种混合酸的
体系中，硅与混合溶液的反应是持续性的。
二、扩散
扩散是为电池片制造心脏，是为电池片制造P-N结，POCl3是当前磷扩散用较多的选择。POCl3为液态磷源，液态磷源扩散具有生产效率较高、稳定性好
面。处理方式区别主要在与单多晶性质的区别。工艺流程：制绒槽水洗碱洗水洗 酸洗水洗吹干。一般情况下，硅与HF、HNO3（硅表面会被钝化）认为是不反应的。当存在于两种混合酸的体系中，硅与混合溶液的反应
优点。POCl3在大于600℃的条件下分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），PCl5对硅片表面有腐蚀作用，当有氧气O2存在时，PCl5会分解成P2O5且释放出氯气，所以扩散通氮气的同时
的反应条件下进行(15-25 MPa，300-550℃)。提供反应条件需消耗世界能源供应的1-2%，每年约产生2.3吨二氧化碳。目前，用于NH3合成的原料氢气主要来自甲烷的重整，每年约消耗世界天然气
～ 2000nm ，光照加热的温度为 500 ～ 1000℃，光照的时间为 0.1 ～ 10min，氧化气体为氧气、空气、水蒸气中的一种或几种。
上述氧化气体中掺入了氯气、无水氯化氢、三氯乙烯中的一种或几种
大大减少表面复合，提升多晶电池的效率。
氧化气体中掺入了氯气、氯化氢、三氯乙烯中的一种或几种，会使氧化层中有一定量的氯原子，从而可以减少钠离子沾污，钝化 SiO2中的钠离子的活性，抑制或消除热氧化
。公司采用 硅氢氯化法 生产工艺生产三氯氢硅，采用 离子膜法 生产氢氧化钾。与采用其他生产工艺的企业相比，公司采用的生产工艺由于反应容易进行，控制简单，易于操作，既减少了劳动强度，也减少了相应的设备投入
优化，大幅提高了多晶硅节能还原炉单炉年产量，为万吨级多晶硅生产线和节能技术提供技术支撑。他表示，目前，还原反应过程气体单套装置处理能力达到45000Nm3/h，多晶硅生产综合电耗小于每公斤75千瓦时
，生产每公斤多晶硅的蒸汽消耗低于30千克。这些综合能源消耗数据代表着我国多晶硅生产技术已达到世界先进水平。在多晶硅生产过程中，会产生四氯化硅等副产物，以往的回收技术难以对副产物进行有效处理，进而容易对
万吨级多晶硅生产线和节能技术提供技术支撑。他表示，目前，还原反应过程气体单套装置处理能力达到45000Nm3/h，多晶硅生产综合电耗小于每公斤75千瓦时，生产每公斤多晶硅的蒸汽消耗低于30千克。这些
综合能源消耗数据代表着我国多晶硅生产技术已达到世界先进水平。在多晶硅生产过程中，会产生四氯化硅等副产物，以往的回收技术难以对副产物进行有效处理，进而容易对环境造成污染。事实上，如果技术得当、处理得好，将相
,留下的钠离子以氢氧化钠的形式存在,和酸反应的时候变成硝酸钠,虽然硝酸钾的组份是98%左右,但是其他的都是硝酸钠,剩下的镁离子、氢氧根离子也是没有的、钙离子也没有,氯离子是1.PPM以下,这是针对熔盐
组份的要求比较的苛刻,硝酸钾是通过氢氧化钾来做的,氢氧化钾是通过弱化钾电解过滤的方式,基本上过滤完了在0.008、0.009,它的钠离子过滤不了,留下的钠离子以氢氧化钠的形式存在,和酸反应的时候变成
氯化氢和冶金级工业硅为原料，制取三氯氢硅，再利用三氯氢硅进行氢还原，生产出多晶硅。在多晶硅的生产过程中的前期反应中，会产生大量四氯化硅（SiCl4）、二氯二氢硅等副产物，而第二阶段合成工序也会再产生10
