本征吸收
都在电池背面，光线利用率提高。 HIT电池：Hetero-junction with Intrinsic Thin-layer(本征-薄膜异质结),其特征为在晶体硅和掺杂薄膜硅之间插入一层本征非晶硅
异质结的各种优势：
异质结有这么多优势，必然使行业对于异质结如今的火热显得理所当然。但是异质结概念我们并不陌生，早在1990年，日本三洋公司就首次将本征薄层的异质结(HIT)成功开发
发电量增益与实际应用场景密切相关，背面反射率越高，发电量增益越大，据测算，异质结双面双玻组件的背面增益可达10%~40%。此外，还可通过抬高组件高度、增大组件倾角等增加背面的吸收光源，从而提高背面的发电量
鹤岗市十三五经济社会发展目标提供能源保障，依据《鹤岗市国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要》，特制定《鹤岗市十三五能源总体规划》。本规划主要阐明鹤岗市能源发展的指导思想、基本原则、规划目标、主要任务
：鹤岗市现有2家燃气公司负责全市居民、商业及工业用户的管道燃气用气，现有2个液化石油气储配站负责全市的瓶装液化石油气的供应，有2座天然气汽车加气站投入运行，2座在建。本规划期内，市区总规划12个汽车加气站
能够在全天候工业流程中完成均匀的高质量本征及掺杂非晶硅膜层的沉积。大规模生产中的平均转换效率可达23%Gt以上，最高效率已超过24%。这里Gt代表Grid touch测量，因为HJT电池片属于无无主栅
受光发电。在输出功率相同的情况下，双面因子较高的组件在提升发电量方面明显优于单面光伏系统。
只要遵循几条设计原则，就可以最大程度地提升发电量。
反照率：如果太阳光被地面吸收，而不是被地面反射，那么
，SJT等)，通常以n型晶体硅作衬底，宽带隙的非晶硅作发射极，典型结构如上图所示。该电池具有双面对称结构，n型硅衬底两侧两层薄本征非晶硅层，正面一层P型非晶硅发射极层，背面一层n型非晶硅膜背表面场;在两侧
。
高效率
HIT电池独特的非掺杂(本征)氢化非晶硅薄层异质结结构，改善了对硅片表面的钝化效果，大降低了表面复合损失，提高了电池效率。据报道，Panasonic研发出的HIT电池实验室效率已达到25.6
间衬底为n 型晶体硅，经过清洗制绒的n 型c-Si 正面依次沉积厚度为5～10 nm 的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)、p 型非晶硅薄膜(p-a-Si:H)，从而形成p-n 异质结。在硅片背表面
制备发射极，磷扩散掺杂制备n+ 背场。由于n+ 磷背场代替常规p 型硅太阳电池用铝浆印刷技术形成的铝背场，背面电极也采用与正面电极相同的栅线结构，使电池前后表面都能吸收光线，实现双面发电。同时，组件
1、HIT电池结构和原理
HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的缩写，意为本征薄膜异质结，因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，所以又被
太阳能电池。
图表：HIT太阳能电池结构示意图
资料来源：OFweek行业研究中心
在电池正表面，由于能带弯曲，阻挡了电子向正面的移动，空穴则由于本征层很薄而可以隧穿后通过高掺杂的p+型非晶硅
回来看 首先使用热生长在硅片两面得到2.2nm氧化层，LPCVD沉积本征多晶硅 使用硼离子注入将背面的多晶硅掺杂为p型 背面使用光刻技术开孔，留光刻胶作为阻隔层，两面离子注入进行磷掺杂
做到5000，做到这么高，电感电容都是不需要的，储能很小一点点成本大幅度降低，动态性能也得到改善。我们的电力电子技术，围绕着我们的逆变设备主要就是需要有高性能的DSP，拓扑，新型的算法，和一些改进。小功
，电力系统是否能够接受，但是这些都是着眼于绩效考核的。分布式发电如果装这些，还有地面电站，要装这些大的状况，现在盖房子要征地的，现在西北经常发生要征一个太阳能电站当中，要征两亩地来干这个机房，这个事情是个很大
CZTSe中除了NaSn外，其它与Na相关的缺陷均为浅施主或受主。其中，NaZn形成能很低，可以在材料中大量存在，因此会和本征的深能级缺陷SnZn竞争，减少电子空穴对的复合，增强电池的效率；同时，NaZn
PhysicalChemistryChemicalPhysics上。铜基化合物CuGaS2室温带隙为2.43eV，接近最佳的中间带母体材料带隙，是理想的中间带太阳能电池材料。近年来，中间带太阳能电池能够实现三光子吸收过程，理论
