本征吸收

建筑。 内蒙古自治区住房城乡建设事业十三五规划 本规划根据党的十八大、十八届三中、四中、五中、六中全会以及中央城镇化工作会议、中央城市工作会议精神、《中共中央国务院关于进一步加强城市规划建设管理工作
规划、土地利用总体规划协调和衔接的规划体系和机制，积极开展多规合一试点工作，逐步实现一个市县一本规划、一张蓝图的空间规划体系。十三五期间，结合多规合一试点，建立创新、协调、共享的多规合一工作信息平台

Heterojunctionwith Intrinsic Thin-layer的缩写，意为本征薄膜异质结，因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，所以又被称为HJT或SHJ(Silicon
：H基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，工艺上也易于优化器件特性;低温沉积过程中，单品硅片弯曲变形小，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值(约80m);同时低温过程消除了硅衬底在高温

使用热生长在硅片两面得到2.2nm氧化层，LPCVD沉积本征多晶硅 使用硼离子注入将背面的多晶硅掺杂为p型 背面使用光刻技术开孔，留光刻胶作为阻隔层，两面离子注入进行磷掺杂，背面得到交错的p和n掺杂
层对光的吸收，电流有所损失，因此将钝化接触用在正面无遮挡的背接触设计中就成为了一个两全齐美的解决方案。日本钟化公司正是采用异质结背接触技术取得了目前单晶硅电池的世界最高效率。此次ISFH效率达到

Shockley-Queisser(SQ)效率，但是该效率仅仅考虑了辐射复合，忽略了非辐射复合与本征吸收损失(例如俄歇复合与寄生吸收等)。2013年，Richter等提出一种新颖且精确的计算单晶硅太阳电池的极限

自发辐射。通过滤波片的作用及底片的曝光程度来了解在自发辐射中本征跃迁的情况，通过少子寿命、密度与光强间的关系，从底片的曝光程度，来判断硅片中是否存在缺陷。 由于晶硅太阳电池中少子的扩散长度远远大于势垒
黑斑区域量子效率高，波长较长的波是被电池主体吸收的，迁移过程及背面表会产生复合，而量子效率与电池片的活性层对光子利用率以及光的反射、透射有关，实验中黑斑区域和正常区域选自同一片电池片，可以认为它的

用文字形式，介绍了晶硅太阳能电池的发电原理。属于科普级别，非常通俗易懂。 太阳能电池发电原理 一、N型半导体与P型半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体，原子之间形成共价键，其
结构如图1-3所示。共价键中的两个电子，称为价电子。 图1：本征半导体结构图 价电子在获得一定能量(温度升高或受光照)后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子(带负电)，同时共价键中

~10m，用GaAs制成的太阳能电池，在质量上可以大大减轻。 (3)耐高温 GaAs的本征载流子浓度低，GaAs太阳电池的最大功率温度系数(-210-3℃-1)较低比Si(-4.410-3℃-1
制成超薄型电池。 GaAs是直接带隙半导体，而Si是间接带隙半导体，在可见光到红外的光谱内，GaAs的吸收效率要远远高于Si。同样吸收95%的太阳光，Si需要150m以上的厚度，但是GaAs只需要5m

Shockley-Queisser(SQ)效率，但是该效率仅仅考虑了辐射复合，忽略了非辐射复合与本征吸收损失(例如俄歇复合与寄生吸收等)。2013年，Richter等提出一种新颖且精确的计算单晶硅太阳电池

：主要解决太阳光谱的选择性吸收功能，根据其吸收原理可分五大类：①本征吸收涂层(半导体和过渡金属) ②光干涉型涂层(TiOxNy) ③多层渐变膜型涂层(渐变Al-N/Al) ④金属陶瓷复合涂层