本征吸收
电池转化效率提升。HJT：理论效率达 28.5%，目前产能规划较大，有望同 TOPCon 电池一起替代 传统 PERC
电池，占据一席之地。HJT 全称非本征晶硅异质结，其结构对称，制备 流程短
1.12eV，能对 300-1200nm 的光子有效吸收。叠加 CZ、DS、FZ 等工艺制备出的单晶硅具备纯度高、晶格完美、
位错缺陷少等优点，是理想的光伏电池材料。但由于吸收光谱限制，在
通过蒸发金属电极的方式完成电池的制备。异质结HJT电池和钙钛矿电池结构区别异质结HJT/HIT电池由硅基底层、缓冲层、本征晶体硅层、缓冲层和顶部电极组成。其中，缓冲层是异质结(HJT/HIT)电池的
关键层，它能够吸收晶体硅中的缺陷，提高光生载流子的生成效率。钙钛矿电池则由基底、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层和顶电极组成。其中，电子传输层和空穴传输层是钙钛矿电池的关键层，它们分别负责传输
提升0.3%以上。2. 硼扩&磷扩工艺扩散的目的是形成P-N
结。本征硅中载流子数目极少，其导电性能很差。因此，实际应用的半导体是在纯硅中加入微量的杂质元素后的材料，即掺硼的P型硅片以及掺磷的N型
硅片。扩散的目的是在硅片基地上扩散一层P型半导体或N型半导体从而在交界面形成PN结。光生伏特效应的基本原理当阳光照在 PN 结上时，PN结吸收光能激发出电子和空穴，在内建电场的受约力下推动带有负电的
曲线;(c)在1010 cm2的基板上，刮涂制备的有效面积为36 cm2的组件照片;(d)已报道有效面积超过30 cm
据介绍，本体异质结(BHJ)有机太阳电池因可溶液加工、质轻和本征柔性等优点引起
塑料薄膜具有灵活性的原因。这种薄膜的主要优点是，它可以很容易的吸收室内环境光线。由于薄而灵活，这些设备所需的空间较小，可以以各种形式使用。
组件大规模生产指日可待
一家德国初创公司Heliatek
共同形成了钝化接触结构。
HJT：
具有本征非晶层的异质结(Heterojunction Technology)在电池片里同时存在晶体和非晶体级别的硅，非晶硅的出现能更好地实现钝化效果。
IBC
：
PERC：
发射极钝化和背面接触(Passivated Emitter and Rear Contact)利用特殊材料在电池片背面形成钝化层作为背反射器，增加长波光的吸收，同时增大 p-n 极间的
，已成为最具潜力的下一代光伏技术之一。异质结产品超高的光电转换效率很大程度源于本征非晶硅对于晶体硅优异的表面钝化能力，美中不足的是由于TCO膜层和非晶硅膜层会吸收紫外线，使得其电池的电流比普通电池低
的 Emitter 和 BSF 区域为 p+非晶 硅和 n+非晶硅层，在异质结接触区域插入一层本征非晶硅钝化层。HBC 电池具有高质量的钝化效果和低的温度 系数，并同时具备大短路电流和高开路电压的双重优势
，来源于染料敏化太阳电池，优点主要体现为光吸收系数高、载流子扩散长度长、带隙可调等。
2009 年，日本科学家 Miyasaka 最早应用钙钛矿材料制备染料敏化单结太阳能电池，但当时转换效率仅为
： 掩模和CVD原位掺杂制备背面PN区 电池正面沉积本征非晶硅钝化层 PN区与基区之间沉积本征非晶硅钝化层 PN区与金属电极之间沉积TCO层 单面丝网印刷，无主栅或多主栅 兼容
采用硼扩散的发射极，背表面为SiOx/n+ poly钝化接触结构，采用LPCVD沉积本征poly-Si，然后采用离子注入进行掺杂，前表面和背表面均为H型栅线电极，可双面发电，此技术路线称之为
方法是采用高方阻的发射极来降低复合损失，搭配密栅(更小的栅线间距pitch)来降低载流子的横向传输损失;
2)降低背面的非理想光学损失，如采用更加薄的n+ poly降低自由载流子的吸收，通过改善背面
效果是关键，提升钝化效果的关键是降低杂质影响，目前可通过改变镀膜顺序和预处理工艺来减少杂质。
改变PECVD镀膜顺序，减少本征层硼污染，转换效率有望提升0.15%。目前生产HJT镀膜一般先完成一面
镀膜，再翻面完成另一面镀膜，即ip+in或in+ip的顺序，该工艺的缺点在于p型掺杂层镀膜完成后，硼残留在腔体及托盘表面，硼污染会影响本征层的钝化效果，降低转换效率。目前，PECVD设备采用两次翻面即
