本征吸收
(Hetero-junction with Intrinsic Thin-layer)电池即本征薄膜异质结。不同于常规电池p-n结由导电类型相反的同种材料晶体硅组成，HIT电池的p-n结是由两种不同的
是通过增加电池的光吸收方面，比如光陷阱结构，就是通过化学刻蚀或制绒等手段来增加电池的光吸收效率；第二是通过有效分离光生载流子，降低载流子复合来实现电池效率的提高，常用的手段为增加背场、增加钝化层、改善衬底
方面的优势及强大发展潜力。表3IBC电池研究现状汇总3.5HIT电池HIT电池正面首先沉积很薄的本征非晶硅层作为表面钝化层，然后沉积硼掺杂的p+型非晶硅层，两者共同构成正面空穴传输层。沉积后硅片靠近表面
由于能带弯曲，阻挡了电子向正面的移动。相反对空穴而言，由于本征层很薄，空穴可以隧穿后通过高掺杂的p+型非晶硅。在背面同样沉积本征非晶硅薄膜和掺磷的n+非晶硅层，同样由于能带弯曲，阻挡了空穴向背面的移动
明显，规整的纳米片阵列结构可以有效收集和传输来自钙钛矿光吸收层中的电子，使得电子空穴寿命更短，加速了钙钛矿材料中光生载流子的分离。此外，硫化铟ETL更为匹配的能带结构以及更高的本征电子迁移率，能够
重要组件之一，可以选择性传输光生电子，抑制载流子复合，对电池能量转换效率的提高具有重要意义。针对目前传统ETL材料与钙钛矿层本征电子迁移率不匹配这一关键问题，该工作采用低温化学浴沉积方法制备了排列规整的
光吸收层中的电子，使得电子空穴寿命更短，加速了钙钛矿材料中光生载流子的分离。此外，硫化铟ETL更为匹配的能带结构以及更高的本征电子迁移率，能够进一步抑制电子的逆向传输，降低载流子复合机率，从而使得电池器件
一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下
with Intrinsic Thinlayer)电池是在单晶硅片的两面分别沉积本征层、掺杂层和TCO以及双面印刷电极。HJT电池具有结构对称、地位制造工艺、高开路电压、温度特性好、无LID和PID效应等特点
Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路
太阳能电池技术
HJT(Heterojunction with Intrinsic Thinlayer)电池是在单晶硅片的两面分别沉积本征层、掺杂层和TCO以及双面印刷电极。HJT电池具有结构对称、地位
片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200
更多有效发电面积，也有利于提升发电效率，外观上也更加美观。
这种背电极的设计实现了电池正面零遮挡，增加了光的吸收和利用。但制作流程也十分复杂，工艺中的难点包括P+扩散、金属电极下重扩散以及激光烧结等
世界记录。HIT太阳电池组件HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂
也更加美观。这种背电极的设计实现了电池正面“零遮挡”，增加了光的吸收和利用。但制作流程也十分复杂，工艺中的难点包括P+扩散、金属电极下重扩散以及激光烧结等。IBC电池的工艺流程大致如下：清洗-制绒
Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压
，完全看不到多数光伏电池正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积，也有利于提升发电效率，外观上也更加美观。这种背电极的设计实现了电池正面零遮挡，增加了光的吸收和利用。但制作流程也十分复杂
Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到
看不到多数光伏电池正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积，也有利于提升发电效率，外观上也更加美观。这种背电极的设计实现了电池正面零遮挡，增加了光的吸收和利用。但制作流程也十分复杂，工艺中的
