抑制

解离，这使得其在旋涂过程中能够作为富Cl位点，促使Cl元素在钙钛矿初始形核阶段便快速嵌入晶格，显著改变钙钛矿带隙。与之不同的是，MACl引入后主要在前驱液阶段解离，通过影响离子结合抑制形核速率，从而
)，在溶液中迅速解离为 MA+和 Cl-，游离离子抑制 Pb2+与卤素离子的结合速率，从而延缓富溴/富碘核的形核动力学，但 MACl在退火过程中 Cl-随 MA+挥发脱离体系，未参与晶格构建;含

，ABC组件比TOPCon组件功率高出6%-10%，大幅提升土地利用率;其次，ABC组件具有阴影发电优化、更优温度系数和低衰减特性，显著增加发电收益;最后，高温抑制和抗隐裂设计使组件安全性达到前所未有

(如低带隙、宽带隙)、器件结构(n-i-p、p-i-n)及大面积器件(1 cm²)，最高效率达26.0%，显著提升工业生产的适用性。3.机制解析：FIPA通过F…N–H氢键抑制钝化剂与钙钛矿的过度

/adma.202502015中国科学院大学孟祥悦、吴玮桐和苏州大学李亮团队成功开发基于新型无铅锡基钙钛矿的高分辨率神经形态成像传感器技术。该工作通过引入Sn→B供体-受体键相互作用，有效抑制了锡离子的氧化，显著

中，以抑制这些副反应链，并有效减轻阳离子和碘离子(I⁻)的有害降解。Th的协同效应使其能够与未配位的Pb²⁺结合，调节结晶过程，从而实现低缺陷密度的高质量薄膜。因此，基于Th的前驱体展现出更长的存储
FTIR;f) PbI₂和PbI₂+Th的FTIR光谱;g) 在DMSO溶剂中Th和含有Th的老化FAI/MACl的质谱;h) 通过Th抑制前驱体降解的效果。图3. a) 新鲜和老化(含和不含Th

EPE胶膜：超低酸+抗PID性能优异】采用超低酸值配方结合抗水解技术，有效抑制EVA树脂老化水解。独有的离子吸附网络可捕获Na+等迁移离子，阻断带电粒子对钝化层的侵蚀路径，PID衰减率远低于传统胶膜

不稳定的核心因素。本研究创新性地提出基于主客体相互作用的杯芳烃超分子策略，通过同步抑制多种可移动化学组分的迁移，实现功能层的协同稳定化。引入4-叔丁基杯芳烃(C8A)后，界面缺陷得到钝化，有效抑制了陷阱
7Li核磁共振谱。e) 含/不含Li-TFSI的C8A溶液1H核磁共振谱。f,g) 含/不含C8A的Ag电极薄膜Ag 3d X射线光电子能谱。h) 基于C8A与多组分离子主客体相互作用的迁移抑制

，TCEA可形成强的Sn-Cl键，增强Sn4+配位。原位表征表明，TCEA加速了钙钛矿的形成，抑制了PbI2的生成，并促进了晶粒长大，从而最大限度地减少了晶界缺陷。这提高了电子提取效率，延长了热载流子冷却
促进α-FAPbI₃相形成并抑制PbI₂，使晶粒增大至1170 nm;3)优化载流子提取与热载流子冷却，实现25.25%效率且1000小时湿热稳定性保持90%。未来展望：　　1)未来研究可进一步探索

三重态激子能先转移到ZnPc上。　　不可或缺的“守门员” - 氧化铝(AlOₓ)：在ZnPc和硅之间，团队使用原子层沉积(ALD)技术生长了一层极薄(约1 nm)的AlOₓ：钝化： 有效抑制硅表面