发光二极管

加工溶剂对钙钛矿的结晶和光电性能具有重要影响。DMSO与Pb的强配位能力过度影响钙钛矿的结晶过程，通常需要反溶剂工程来调控结晶。本文中国科学院刘剑和谢志元等人提出了一种由2-甲氧基乙醇和碳酸丙烯酯组成的弱配位共溶剂策略，用于制备准二维钙钛矿和PeLEDs。关键的是，2-ME:PC混合物可调的中等溶剂化强度促进了钙钛矿结晶，同时抑制了有害的低维相生长，从而实现了无反溶剂制备高质量甲脒基准二维钙钛矿。

研究意义破解QLEDs稳定性瓶颈：首次通过晶格匹配分子设计实现器件工作寿命超过2.3万小时，推动钙钛矿QLEDs商业化进程。深度解析图1展示了晶格匹配的多位点锚定分子设计策略。图4展示了量子点发光二极管的器件性能。结论展望本研究通过精准设计晶格匹配多位点锚定分子TMeOPPO-p，实现了钙钛矿量子点表面缺陷的有效钝化与晶格稳定，成功制备出EQE近27%、工作寿命超过2.3万小时的高性能QLED器件。

混合卤化物溴碘钙钛矿量子点为红色钙钛矿发光二极管提供了出色的光谱可调性，但表面缺陷会促进卤化物迁移和非辐射复合，从而降低器件性能。后处理策略在乙腈中使用短而强结合的无机配体同时蚀刻富铅表面并钝化CsPb3PeQD中的缺陷。乙腈通过强Pb配位温和地去除铅缺陷，同时保持QD完整性，这与DMSO或DMF等极性溶剂不同，DMSO或DMF会损坏PeQD。KSCN和GASCN牢固吸附以钝化不配位的Pb位点，产生具有增强PLQY、提高稳定性和优异薄膜电导性的高质量PeQD。

有机-无机杂化锑卤化物作为无铅钙钛矿发光二极管材料备受关注，但其非辐射复合强、电荷传输差等问题限制了电致发光性能。本研究郑州大学马壮壮和史志锋等人基于定制的主客体结构SbCl发光体，开发出高效锑卤化物LED，兼具良好发光与电荷传输性能。以35DCzPPy为主体材料的主客体结构进一步增强辐射复合，源于Type-I能级结构和高效能量转移。该工作为高性能金属卤化物LED的实际应用提供了重要借鉴。

尽管单结量子点发光二极管在效率和稳定性方面已取得显著进展，但常规结构的串联QLEDs性能仍远落后于倒置结构。最终，常规串联QLEDs实现了创纪录的51.2%外量子效率、31,383小时的超长寿命以及2.8V的超低开启电压。这一成果为QLED在下一代显示和照明领域的商业化应用铺平了道路。性能突破：纯绿光PeLED的EQE达19.7%，亮度超23000cd/m，CIE坐标逼近BT.2020标准，处于领域领先水平。

南京工业大学（NanjingTech）和华南理工大学（South China University of Technology）的研究人员展示了一种逐层（Layer-By-Layer，LBL）热蒸发策略，以制备具有可调发射波长的高质量钙钛矿发光薄膜。

钙钛矿量子点因其优异的光电特性和溶液法制备的便利性，在太阳能电池和发光二极管领域展现出巨大的应用潜力。然而，在高温热注入合成过程中，配体之间的酰胺化反应会导致PbX2沉淀，进而引发缺陷形成，降低

白光发光二极管中的重吸收和色漂移问题，并实现高质量照明。该研究成功地制备了 Cs2NaLuCl6: 5%Ag+, 5%Bi3+, 1%Sb3+ 荧光粉，其发射光谱覆盖整个可见光区域 (400-800

金属卤化物钙钛矿是用于发光二极管(LED)的很有前景的材料。利用纳米晶体/量子点、低维钙钛矿和超薄钙钛矿层对电荷载流子进行空间限制，都被用于提高钙钛矿发光二极管(PeLED)的外量子效率。然而

系数、高的缺陷容忍度、出色的载流子特性和优异的光电性质，使其在光伏电池、发光二极管、光电探测器等半导体器件领域展现出优异的性能而备受关注。尽管钙钛矿具有带隙可调性，但其光吸收依然受限于1000 nm