发光二极管

，30 oC)，经过 1,800 小时后，仍保留了其初始 PCE 的 92 %。为了进一步证明这一思路的普适性，我们也制造了蓝色钙钛矿发光二极管 LED。其外部量子效率 (EQE) 达到了 14.78

混合卤化物钙钛矿发光二极管面临着场相关相分离的关键挑战。用配体锚定的离散胶体CsPbX3纳米晶体有望抑制相分离，但当其作为发射膜集成到LED中时，离子迁移如何进行仍是一个谜。具体而言，需要分离单个

钙钛矿发光二极管(PeLEDs)因其高效率和色纯度成为下一代显示技术的潜力候选者。然而，PeLEDs在高电流密度(100 mA cm⁻²)下的操作不稳定性仍是重大挑战。鉴于此，浙江大学赵保丹&狄

该文章研究了如何通过控制界面来提升准二维钙钛矿发光二极管 (Pero-LEDs) 的性能。准二维钙钛矿具有高激子结合能和优异的光致发光量子产率，但在Pero-LEDs中却存在载流子注入不平衡和非

最近，钙钛矿发光二极管(PeLED)因其卓越的特性，包括高色纯度和可微调的发射波长，在彻底改变显示技术方面展现出显著的潜力，成为光电子学的前沿研究领域。最先进的纯碘 PeLED 外部量子效率
纳米(深红光)波长范围内的红光发光二极管的性能尚未达到上述高度，仍有待进一步提高。阻碍设备性能的一个关键挑战是通过溶液加工合成的钙钛矿薄膜中的缺陷。卤素空位缺陷因其形成能量低而在金属卤化物钙钛矿中十分

为论文共同第一作者，山东大学李佳硕教授和林雪平大学 Feng Gao教授为论文共同通讯作者。钙钛矿发光二极管(PeLED)技术有望成为下一代照明和显示技术的领跑者。尽管该技术发展迅速，但高性能钙钛矿

钙钛矿发光二极管(PeLED)的发展面临关键瓶颈：卤素空位缺陷显著制约器件性能，而传统钝化策略在抑制缺陷的同时易引发结构失稳并导致体系复杂化。鉴于此，中国科学院半导体研究所张兴旺&游经碧在

钝化了表面缺陷。未来展望：1.扩展到其他多层结构设备：文档指出，设计结合了聚合物电荷传输层的策略可以普遍应用于其他多层结构设备。未来的研究可以探索这种双侧面锚定技术在有机光伏器件、发光二极管(LED

薄膜，掩埋界面的未反应 PbI₂显著减少，结晶度和取向性显著提升。两点未来展望1、拓展至其他光电子器件：CNCB 的分子设计策略可推广至钙钛矿发光二极管(LED)、光电探测器等其他光电子