双面接触硅太阳电池
： 电池片研发方面：N/P型单晶双面太阳电池制备工艺的研究、高效太阳电池激光技术应用的研究、黑硅电池与组件材料匹配性研究、背抛光技术技改的研究等。 组件研发方面：双面双玻组件的研究、高CTM
双面电池技术与应用)、Meyer Burger(高效异质结/钝化接触太阳电池及高功率组件技术)、UNSW(Towards 25% Industrial Silicon Solar Cells)、ECN
太阳能电池技术，其优势不仅在于能量转换效率高，还在于制程简单、高温下发电效率衰减小、可使用薄型化硅晶圆、和低模组封装损失、可双面发电等多种优点，成为次世代最被看好的电池技术。
而IBC电池，P-N结和电极
结合HJT+IBC两种结构之电池，并实现了25.6%的全球最高效率，是晶硅太阳电池有机会实现的最高效率。
而第三种电池N-PERT/N-PERL结构简单，最大程度保留和利用现有传统P型电池设备制程
电池片上采用了SE技术。 据了解，SE太阳电池是指在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样的结构既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了
光伏组件3类。 1)单晶n型双面光伏组件。图1为基于磷掺杂的n型硅制备成p+nn+结构的双面太阳电池，其采用硼扩散掺杂制备发射极，磷扩散掺杂制备n+背场。 由于n+磷背场代替常规p型硅
11月，日本Kaneka公司宣布采用铜接触金属化的双面异质结晶硅太阳能电池效率创纪录达25.1%，得到了德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(FraunhoferISE)的验证，并计划利用该技术建立一条
工艺过程中，电池金属化工艺是决定电池效率和电池成本高低的关键步骤之一，金属电极既要与硅界面有高的粘结强度和低的接触电阻，又要为电流输出提供高导通路。目前商用晶硅电池金属电极的制备大多采用丝网印刷
，SJT等)，通常以n型晶体硅作衬底，宽带隙的非晶硅作发射极，典型结构如上图所示。该电池具有双面对称结构，n型硅衬底两侧两层薄本征非晶硅层，正面一层P型非晶硅发射极层，背面一层n型非晶硅膜背表面场;在两侧
310W、295W。为了同时实现高效、低价，最流行的高效技术几乎都得到了应用：
PERC、双面、N型、半片、MBB、MWT、黑硅......
可见，在领跑者的推动下，很多新技术从实验室加速走向应用实践
、MBB、黑硅(领跑者按正面功率计算，所以双面暂不考虑)，当普通组件叠加这些技术之后，功率都会有一定的提升，如下表所示。
2018年各种技术路线的组件功率分布如表1所示。
从上图可以看出，要想
年代，基于p+pn+ 或p+nn+ 结构的双面受光晶体硅太阳电池的结构被正式提出。 1994 年Moehlecke 等在第一届世界光伏会议上介绍了基于p+nn+ 结构的双面太阳电池，该电池的正面
接触区域的复合，如采用局部B掺杂; (5)采用高质量硅片，如提高硅片的少子寿命; (6)双面PERC电池。 来源：B Min, M Mller , H Wagner, ARoadmap
