双面接触硅太阳电池

太阳电池采用了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄隧穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子隧穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到24.58%。该结果

、降低制备成本并提高晶圆基板的使用寿命;利用先进电池模块原型制造设施，来提高发射极和背面钝化电池(PERC)制造工艺水平，降低生产成本;针对背接触的CdTe太阳电池开发高性能背接触材料和工艺，以在减少

商业化应用前仍然有许多挑战需要解决。此外，新型电池架构的出现，如双面进光太阳电池、钝化发射极背面接触电池(PERC)等，使得获得更高光电转换效率水平成为可能，给晶硅电池市场带来挑战，推动市场发生

主要集中在晶体硅电池的发射极及背电极钝化技术(PERC)、异质结技术(HIT)、叉指背接触技术(IBC)、电极绕通背接触技术(MWT)，以及硅片的黑硅、n 型技术。但是由于电池的产业化要求和工艺

主要集中在晶体硅电池的发射极及背电极钝化技术(PERC)、异质结技术(HIT)、叉指背接触技术(IBC)、电极绕通背接触技术(MWT)，以及硅片的黑硅、n 型技术。但是由于电池的产业化要求和工艺

打破的第20项世界纪录。 此次破纪录的太阳能电池应用了天合光能自主研发的i-TOPCon高效电池技术，主要采用了超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化大幅提高太阳电池的

研发人员在磷掺杂面积247.79平方厘米的铸锭单晶衬底上制作，主要采用了超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化原理，从而实现大幅提高太阳电池的转换效率。目前该效率已获德国哈

上保证了产品的可靠性。 江苏日托光伏科技股份有限公司技术中心总经理吴仕梁博士 泰州中来光电科技有限公司研发部吴伟梁博士发表了《n型双面钝化接触太阳电池和组件的产业化进展与应用》主题演讲，吴

异质结电池的生产工艺主要包括非晶硅层沉积、导电膜沉积、表面金属化、低温烧结等过程。其中，金属化工艺是异质结电池制备过程中最为关键的环节之一，不但要保证与硅界面有高的粘结强度和低的接触电阻，同时要为电流

钝化发射极和背面(PERC)技术已成为太阳电池新一代的常规技术。业内机构亚化咨询提供的最新数据显示，2019年，全球PERC电池产能将超过100GW。而PERC之后，以TOPCon为代表的钝化接触
标准PERC电池工艺。通过应用钝化接触技术，晶科于2018年实现创当时纪录的23.95%效率PERC电池。目前，先进P型PERC电池最高效率已提升到以前难以想象的24%以上。双面PERC电池在几乎不增加