双面接触硅太阳电池
with Intrinsic Thin Layer，也被称为HIT，中文名为本征薄膜异质结。HJT电池为对称双面电池结构，中间为N型晶体硅，然后在正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜，形成P-N结。而硅
弗劳恩霍夫太阳能研究所(Fraunhofer ISE)宣称，双面接触硅太阳电池转换效率创下了26%的新纪录。 此外，Fraunhofer ISE还表示，实现这一纪录的技术具有将效率推高至27%的
江苏省人民政府日前印发《省政府关于2020年度江苏省科学技术奖励的决定》，表彰在科学技术活动中作出突出贡献的单位和个人。天合光能申报的高效晶体硅N型双面太阳电池组件关键技术及产业化项目荣获2020
年度江苏省科学技术奖，成为天合光能2011年以来获得的第四项江苏省科学技术奖。
高效晶体硅N型双面太阳电池组件关键技术及产业化项目是i-TOPCon技术产业化的突破性成果。项目采用基于量子隧穿的钝化
在成熟技术路线上继续挖掘潜力，要么探寻另一条更具前景的技术赛道。 异质结电池便是重要赛道之一。 异质结电池全称是晶体硅异质结太阳电池，别称还有HIT、HJT、HDT、SHJ。 该技术是在晶体硅上
12月23日，首届中国泰兴太阳谷异质结国际论坛暨第三届非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池技术与国际化道路论坛在江苏泰兴举行。来自全国各地的300余位嘉宾汇聚一堂，共同探讨异质结电池技术的发展与未来，身处
发展，加速构建了开放合作、错位发展、互惠共赢的光伏产业生态体系和具有国际先进水平的新能源智能制造产业集群。
中科院电工所太阳电池技术部主任王文静：
1989年日本三洋公司发明HIT技术，当时的效率仅
一等奖。 天合光能自主研发的高效晶体硅N型i-TOPCon双面太阳电池组件产品，采用了基于量子隧穿的钝化接触技术、先进的硼发射极制备技术、精确的复合电流密度表征方法和高密度封装技术
)、IBC(全背电极接触晶硅太阳电池) 都有不同规模的扩产 ，尤其是TOPCon电池，实际新增产能可能超越HJT。 颠覆以上太阳能电池材料的非晶硅电池钙钛矿电池也受到业界高度关注。 钙钛矿电池的转换效率
太阳电池组件关键技术及产业化项目获得了科学技术奖一等奖。 天合光能副总经理、光伏科学与技术国家重点实验室主任冯志强(右一)代表公司上台领奖 天合光能研发的高效晶体硅N型双面太阳电池
发电量比一般晶体硅太阳电池高出 8-10%，双玻 HIT 组件的发电量高出 20%以上，具有更高的用户附加值。
(5)弱光响应高：理论研究表明，并联电阻越大，光伏组件的弱光响应越强。薄膜电池因为
单晶替代多晶、P-PERC 替代常规单晶的技术迭代。其中常规单晶电池是铝背场电池，在硅片的背光面沉积一层铝膜;P-PERC 电池通过引入背钝化和开槽接触工艺，在电池背面形成背反射器，减少入射光损失
。 (三)电池片：PERC 已成主流，HJT 蓄势待发 高性价比助力P型占据主流。根据基体硅掺杂种类的不同(硼或磷)，晶硅太阳电池可分为P型和N型电池。其中，P型起步较早，工艺技术通过持续改进已趋于成熟
