双面接触硅太阳电池
) ，除了具备IBC的PN结和金属接触都处于太阳电池的背部的特性，同时还采用a-Si∶H 作为双面钝化层，具有优异的钝化效果，能够取得更高的开路电压。目前实验室效率能够达到26%以上。然而，HBC电池在继承
研究人员获得了26%的双面接触硅太阳电池转换效率，创下记录。 Mercom早些时候曾报道称，ISE研究人员直接在硅材料上研发的III-V/Si串联太阳能电池创下了25.9%的效率记录。
简单、薄硅片应用、温度系数低、无光致衰减和电位衰减、可双面发电等一系列优势。但异质结电池制造组件，也面临一系列技术挑战：
1. 异质结需要不超过200度的低温工艺，因此异质结电池串焊、层压耐热性差
，需要针对性开发适合于异质结电池和组件的互联和层压工艺。
2. 异质结电池用低温银浆和非晶硅层耐湿性、耐钠性较差;并且和PERC电池所不同，异质结电池接触封装胶膜的主要是TCO薄膜。因此，需要开发
。其中，2014年在N型CZ硅片上制备的第三代IBC太阳电池的最高效率达到25.2%，SunPower量产效率达25%，LG量产效率达24.5%。国内来看，天合光能一直致力于IBC单晶硅电池的研发
非晶硅钝化技术与IBC相结合，开发出HBC电池。对比IBC，采用氢化非晶硅层作为双面钝化层，背部形成局部异质结结构或侧高开路电压;对比HJT，前表面无电极遮挡，采用减反射层取代透明的导电氧化物薄膜
。由于PERC电池金属电极仍与硅衬底直接接触，金属与半导体的接触界面由于功函数失配会产生能带弯曲，并产生大量的少子复合中心，对太阳电池的效率产生负面影响。因此，有学者提出电池设计方案中用薄膜将金属与硅
太阳电池特点很多。 (1)结构对称。HJT 电池是在单晶硅片的两面分别沉积本征层、掺杂层和TC0以及双面印刷电极。这种对称结构便于缩减工艺设备,相比于传统的晶体硅电池, HJT 电池的工艺步骤也更少
推陈出新，加速布局BIPV光伏建筑一体化。 BS组件采用背结背接触的太阳电池结构，电池转换效率达23%，相比常规硅太阳电池正面无遮光实现组件高功率。这种组件设计样式不拘泥于常规形状
Passivated Contact)是一种使用超薄氧化层作为钝化层结构的太阳电池。其电池结构为N型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效
世界上最先进的技术，比如叠层太阳能电池等。欧盟对这些关键技术的投资将加强欧洲在关键战略技术方面的领导地位。 就在上周，弗劳恩霍夫太阳能研究所宣布，双面钝化接触晶硅太阳电池转换效率创下了26%的新纪录。与
进行布局的企业之一，也是目前全球最大的N型TOPCon电池和组件制造商，目前具备2.4GW的N型TOPCon电池和组件的产能。
中来基于新一代隧穿氧化层和掺杂非晶硅沉积的钝化接触技术制造的
晶科能源大面积N型单晶硅单结TOPCon电池最高效率达到24.9%，为☞☞最新世界纪录。电池基于HOT设计，并采用了隧道氧化物钝化接触(TOPCon)技术，在高质量、低缺陷的CZ单晶硅衬底上
