双面接触硅太阳电池
一年一度的中国太阳级硅及光伏发电研讨会(CSPV)展示了国内外在硅材料、太阳电池、光伏辅材、系统应用、检测认证和装备等光伏产业领域最新研究成果和发展动态，是我国硅材料及光伏发电方面极具专业性的
当前，市场上的太阳电池大多以P型单晶硅电池为主，其制备工艺相对简单、成本较低，再加上单晶PERC技术和选择性发射极技术的引入，使得P型单晶电池组件效率得到大幅提升，目前量产效率已突破23%。但由于P
诱导衰减现象，可以进一步降低光伏发电的制造成本及系统成本，这使其成为高效晶体硅太阳电池的必选材料。
据德国知名太阳能研究所(ISFH)在2019年的报告分析，以Topcon(Poly
%效率的晶体硅太阳电池均采用了钝化接触结构。早在2017年，中来光电就在量产电池中使用钝化接触结构技术，运用的是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide
/cm2，FF=84.64%)的新型高效隧穿氧化硅钝化接触(TOPCon)概念验证电池，突破了晶科能源和中来股份2021年10月份分别发布的25.4%的国内效率纪录，居行业先进水平，见图1和图2
)全世界主要研究机构及企业在n型TOPCon电池效率的进展，红色★代表中科院宁波材料所(NIMTE-CAS)
过去十多年，晶硅太阳电池转换效率以每年0.5%～0.6%的速度不断提升。目前，产业主流的钝化
PVSEC 光伏大会上德国 Fraunhofer太阳能研究所首次提出的一种新型钝化接触太阳能电池，首先在电池背面制备一层 1～2nm 的隧穿氧化层，然后再沉积一层掺杂多晶硅，二者共同形成了钝化接触结构，为
近日，荷兰应用科学研究组织(TNO)、EnergyVille和Eindhoven理工大学的研究人员通过结合17.8%效率的透明双面钙钛矿光伏电池和松下研制的效率11.4%的高效背接触硅异质结电池
也好的发展，收益也会比较乐观。 高平奇：晶体硅太阳电池转换效率极限及路径探讨 在学习了碳交易的新知识后，我们继续回到光伏产业方面，中山大学材料学院副院长/教授高平奇院长为我们带来了《晶体硅太阳电池
太阳电池的效率产生负面影响。因此，有学者提出电池设计方案中用薄膜将金属与硅衬底隔离的方案减少少子复合，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。超薄氧化层可以
电池金属电极仍与硅衬底直接接触，金属与半导体的接触界面由于功函数失配会产生能带弯曲，并产生大量的少子复合中心，对太阳电池的效率产生负面影响。因此，有学者提出电池设计方案中用薄膜将金属与硅衬底隔离的方案
电池片技术 晶体硅异质结太阳电池(HJT)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池 与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发 电等优点，技术具有颠覆性
