双面接触硅太阳电池

寻找最佳的平衡点。 天合光能光伏科学与技术国家重点实验室一直以研发低成本高效率太阳电池技术与产品作为出发点，长期致力于开发可量产的高效晶体硅太阳电池技术。在2016取得IBC电池最高23.5%，平均

）技术是晶硅太阳电池近年来最具性价比的效率提升手段，与常规电池产线兼容性高，并且产线改造投资成本低。PERC技术是未来3-5年内的主流电池技术，而双面PERC电池仅略微改变电池结构，成本与单面PERC

%。资料显示，目前全球实验室单晶硅太阳电池的光电转换率最高为26.3%，行业规模化生产平均水平为20%左右。在工业化生产太阳电池效率提升缓慢的背景下，研发双面发电电池可有效地提升发电量。这等效于电池效率

封装技术和抗组件衰减技术，具有双面发电特性。组件背面能够接收周围的反射光和散射光产生电力。在理想安装条件下，可多发电10%30% 。资料显示，目前全球实验室单晶硅太阳电池的光电转换率最高为26.3
结构，都可以接受光照并能产生电压和电流的太阳电池。这种电池可以用P型硅片制造，也可以用N型硅片制造，但是N型硅片做成双面发电电池后，效率更高，性价比更好。熊猫双面发电组件使用的是N型单晶太阳能电池。与

封面论文（也是该杂志首篇封面论文）形式报道了上海交通大学物理与天文学院太阳能研究所沈文忠研究组在工业化高效晶体硅双面太阳电池方面的研究成果。N型双面晶体硅太阳电池由于双面发电特性，广受学术界和产业界的

索比光伏网讯:晶体硅太阳电池实际上是一个大的平面二极管，就n型电池而言，电池的基体是n-Si，基体的前表面通过扩散重掺杂形成p+发射极，p+发射极与n-Si基体接触形成p+-n结，基体的背表面通过
发射极上面的前电极输出到外电路，驱动负载运行。如图1（a）所示，n-PERT双面电池的结构为：金属电极、前表面减反膜、硼掺杂发射极、n型硅、磷掺杂背场（BSF）、背面减反射膜和背面电极。n-PERT

with Intrinsic Thinlayer)电池是在单晶硅片的两面分别沉积本征层、掺杂层和TCO以及双面印刷电极。HJT电池具有结构对称、地位制造工艺、高开路电压、温度特性好、无LID和PID效应等特点
。截止目前，晋能科技275W高效多晶组件产出比已达50%。杨立友表示，今年晋能科技将在HJT高效技术的研发上初获突破，有望在2020年前后实现平价上网。IBC电池技术IBC电池(全背电极接触晶硅

，双玻组件的抗PID、低衰减、防隐裂特性能适应多种复杂环境，给光伏项目带来更多收益。 双面技术 由N+磷背场代替常规P型硅太阳电池用铝浆印刷技术形成的P+铝背场，同时背面电极也采用与前面电极相同的栅线