化合物半导体

钙钛矿是一种具有与矿物钙钛氧化物(最早发现的钙钛矿晶体)相同的晶体结构的材料。通常，钙钛矿化合物具有化学式ABX 3，其中 A和 B代表阳离子，X是与两者键合的阴离子，大量不同的元素可以结合
所有光伏太阳能电池都依靠半导体(位于玻璃等电绝缘体和诸如铜之类的金属导体之间的中间地层中的材料)将光能转化为电能。来自太阳的光激发半导体材料中的电子，电子流入导电电极并产生电流。 自19世纪50年代

利用 33.进行煤炭分质利用，生产烯烃系、芳烃系及烯烃、芳烃结合产品 34.第三代化合物半导体、高功率半导体激光器芯片研发及生产、化合物半导体外延生长及芯片生产 35.无石棉纤维增强硅酸钙板(轻质墙板

化合物半导体中，如太阳能电池中使用的硒化铜铟，是成分使材料跨越了相界。在理想的晶体中，Cu和In一样多，当Cu比In多时，材料的相位与Cu比In少时的相位不同。" 如何控制这种变化? "我们可以通过

单晶电池PERC技术、CdTe等化合物半导体薄膜电池技术、薄膜电池集成应用技术(BIPV)以及逆变器、智能组件等关键技术的创新，加强核心工艺设备的自主研制和生产。探索等离激元效应对光能新利用的技术

了两种不同的半导体，分别将光谱的不同部分转换成电能。金属卤化物钙钛矿化合物主要使用光谱的可见光部分，而CIGS半导体则转换红外光。 HZB将底部电池(CIGS)与顶部电池(钙钛矿)直接相连，因此

只用于太阳能发电。多晶硅、单晶硅等金属硅用途非常广泛，是制作半导体的材料。此外，金属硅还可以与铝、镁等十多种金属生成合金;以高纯晶硅为原材料生成的化合物，广泛应用与航天、军工、医疗等行业。据统计分析,基于硅矿石加工

]。但是现在这些市场上主流的柔性薄膜太阳能电池的光电转换 效率都相对较低，很难满足航天领域大功率器件的工作需求。 砷化镓材料具有直接能带隙，是典型的 III-V 族化合物半导体材料，其带隙宽度为
。因此， 砷化镓太阳能电池可制成柔性薄膜(超薄)型，重量可大幅减小;3.抗辐照性强，更适用于空间环境;4.耐高温性能好; 5.可以制备成多结级联太阳能电池。 由于 III-V 族多元化合物半导体

方法。这两种工艺都涉及到将化学蒸汽沉积到基底上，但MOVPE的优势在于它能够在两种不同的半导体材料之间形成突变的异质界面，而这正是HVPE传统上所面临的难题。 因此，尽管传统的HVPE几十年来一直被
生长出AlGaAs、AlInP和AlGaInP这些化合物。 但使用MOVPE引入铝Al，生长缓慢，制造成本居高不下。 创新改变了一切 一篇通过氢化物气相外延生长AlGaAs、AlInP和

提高太阳能转换效率的路途困难重重，其中一项难题便是太阳能材料没法吸收全部的光，有一部分的光能会以热的形式损失，进而降低性能，对此，最近美国科学家透过添加有机化合物材料，成功吸收并转换钙钛矿太阳能电池
只能将 20% 入射阳光转换成电能，其余的 80% 都浪费或变成无用反伤的热能。 太阳能板无法吸收所有能量，若是光能小于半导体材料能隙，就无法将电子推送到导带，也不能产生电力;当光子的能量大于半导体

提高太阳能转换效率的路途困难重重，其中一项难题便是太阳能材料没法吸收全部的光，有一部分的光能会以热的形式损失，进而降低性能，对此，最近美国科学家透过添加有机化合物材料，成功吸收并转换钙钛矿太阳能电池
只能将 20% 入射阳光转换成电能，其余的 80% 都浪费或变成无用反伤的热能。 太阳能板无法吸收所有能量，若是光能小于半导体材料能隙，就无法将电子推送到导带，也不能产生电力;当光子的能量大于半导体