化合物半导体
， 过渡金属硫族化合物 (TMDs)具有光-物质相互作用强、应用范围广等特点，是具有代表性的光活性材料。基于TMDs的范德瓦尔斯异质结构涵盖了I型、II型，甚至III型半导体异质结。这将有助于在层状
摘要：中国科学院理化技术研究所郭维团队报道了一种基于过渡金属硫族化合物(TMDs)范德瓦尔斯异质结构的光诱导离子输运系统。这项研究工作实现了光能到离子能发电的概念。光诱导的定向离子输运可看作人工纳米
，而且长期以来被国外企业垄断，成本居高不下。三安集成母公司三安光电成立于2000年，历经20余年的发展，发展为集LED、微波射频、滤波器、光技术、电力电子五大应用领域为一体的化合物半导体产业集群，其中
，光伏逆变器元器件环节长期被国外厂商占据大部分市场份额，但现在，国产功率器件将有望打破壁垒，利用第三代半导体的机会弯道超车，助力中国光伏逆变器企业顺利推出下一代解决方案，让光伏迎来新一轮的提效降本技术热潮
领军人物、国际青年科学家奖等荣誉。 刘正新主要从事太阳电池和微能源技术研究和器件开发开发。在beta-FeSi2化合物半导体材料在光电领域的应用、微小尺寸球型硅太阳电池以及晶体硅太阳电池方面取得了
，总投资额30亿元。三安集成电路是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导体制造平台;具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力，拥有大规模、先进制程能力的MOCVD 外延生长制造线。
串联装置效能优越的证据。
钙钛矿太阳能电池，是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的第三代太阳能电池，具有成本低廉、光电转换效率高、商业潜力巨大等让人无法忽视的特点。
此次研究团队
分析了在各种真实光照和反照率条件下，想要获得最佳电流匹配所需的钙钛矿带隙。研究中新的双面串联太阳能电池，其主体由硅层和钙钛矿层构成，同时还结合了许多其他化合物，由于最终采用了较窄的钙钛矿带隙，具有透明背
电流，表明该化合物成功抑制了非辐射复合。 研究发现，器件性能的提高还来自于辣椒素完全改变了钙钛矿半导体表面区域的电子结构从原先p型转变到n型，自发形成了p-n同质结，在电子缺陷-空穴主导的p型半导体
中国化合物半导体全产业链制造平台三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80m产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器
水面，第三代半导体项目投资升温加剧。据不完全统计，2020年有8家企业计划投资总计超过430亿元，碳化硅、氮化镓材料半导体建设项目出现井喷。三安集成表示，良性竞争有助于产业链上下游协同发展，我们会加
气体还原成高纯硅，生产光伏或半导体行业用的硅料。太阳能级硅料纯度大致6、7个9，电子级纯度要达到11个9。馏化提纯的化工厂如下两图，高低不等的精馏塔，管道纵横，像石油炼化厂、肥料厂、化学原料
自动装填等缺点，科研和工业部门几乎在西门子法诞生的60年代，就同时开始了流化床法的探索。
流化床，把细小的硅颗粒种子铺在有气孔的床层上，从下面通入气态硅化合物(硅烷或三氯氢硅)和其它反应气，气流把硅种
▼ 研讨会最后，现场嘉宾充满热情的参观了三安集成位于厦门的中国首条6英寸化合物半导体生产线和第三代半导体生产线;大规模的自动化机台阵列、高标准无尘生产环境，以及训练有素的一线员工为与会嘉宾留下深刻印象。 图为：会议现场合影留念
工艺和装备的研发和产业化，加强CdTe等化合物半导体薄膜电池、薄膜电池集成应用技术(BIPV)以及逆变器、智能组件等关键技术的创新与应用;探索基于等离激元效应的光能新利用技术、太阳能光热海水淡化技术
