制绒

。 然而，多晶硅片在使用金刚线切割时，经过常规制绒工艺后，表面反射率更高并有明显的线痕等外观缺陷，严重降低电池效率，阻碍了金刚线切多晶硅片的大规模推广。因此，目前金刚线用于多晶硅片切割的主要障碍在于电池制绒

0.6-0.8 元，单晶与多晶硅价差一度下降至 0.6 元左右的性价比阈值。多晶在解决了新型制绒技术如干法黑硅技术、湿法黑硅技术等等问题后，金刚线切割多晶影响电池效率的主要障碍得到了解决，同样能大幅

问题，二是金刚线切割的损伤层比较浅， 使得传统的HF/HNO3制绒技术不能产生良好的光学性能。目前，保利协鑫等多晶行业龙头企业已通过黑硅等技术手段较大程度上的克服了上述问题，并推出了相关金刚线切割的

电致发光原理对组件进行缺陷检测。EL测试的图像亮度与电池片的少子寿命(或少子扩散长度)、电流密度成正比，太阳电池中有缺陷的地方，少子扩散长度较低，从而显示出来的图像亮度较暗。电池制造过程，一般包括制绒、扩散
实验 采用NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理，硅片的厚度为19010m，电阻率为20.5cm。分别对硅片进行单面POCl3磷扩散，等离子增强化学气相沉积(PECVD)法

覆盖BSF电池相同。电池前表面涂覆了一层均匀的发射极(重掺杂n+层)，是在使用各向异性刻蚀法对硅片表面进行制绒后在其上面进行热扩散磷元素掺杂而成的。 在发射极顶部，有一层由PECVD工艺沉积而成的
100cm/s以下，而开路电压(iVoc)则在680-690mV之间轻微波动。考虑到本次研究所使用硅片的质量，以及制绒表面远远大于实际硅片面积的情况，这些数据与文献(可参考Werner等所写文章及其

制作流程一般为：制绒- 扩散-刻蚀-ALD- 正面PECVD- 背面PECVD- 激光开槽- 丝网印刷。随着PERC 电池的量产，在EL测试中，EL 测试仪总能测出正面发暗的电池片，如图2 所示
( 制绒- 扩散-刻蚀- 正面PECVD- 丝网印刷) 制作，另外100片按照前文所述的PERC 电池流程制作;同时，保证在电池片制作过程中都选用同种设备进行，以减小误差。制作结果如表1 所示，PERC

单晶电池(HBC)实现了26.6%的光转化效率;弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)使用等离子表面制绒技术以及隧道氧化层钝化接触(TOPCon)技术，实现多晶转换效率达22.3%。 上述世界效率纪录的

完的多晶片因为表面太光滑没有办法做制绒，这显然和黑硅制绒相悖，使得金刚线技术没能在第一时间叠加黑硅技术。这时阿斯特公司副总提出，本来用来黑硅制绒的方法，同样适用于金刚线制。阿特斯公司经过大约半年的时间