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制绒
，荣获本届展会十大亮点、一带一路评选多项大奖。
保利协鑫：多晶黑硅TS+荣获SNEC最高级太瓦钻石奖
保利协鑫TS+第二代黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和
更优的背面钝化效果，更加兼容高效多晶PERC技术。据了解，TS+第二代黑硅片制绒成本降低约30%，背面抛光工艺更适用于PERC技术，通过一系列工艺技术优化，TS+第二代黑硅片的电池效率增益将提升
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制造工艺对比
常见的晶硅电池(以P型单晶单面电池为例)的工艺主要包括六步：制绒与清洗、POCl3扩散、去磷硅玻璃(PSG)与边绝隔离、正面钝化减反射膜、丝网印刷和测试分选。
单面PERC
上看，这两种PERC电池的正面并无差异，只是双面PERC电池的背面为不同厚度膜覆盖，铝背场局域接触，从而也能受光发电。
而N型双面电池的工艺相对复杂一些，需要在制绒和清洗后进行多增加一次掺杂过程
表面质量方面，提升方法主要有：控制湿法黑硅制绒片的反射率、加大隐裂检查、降低表面金属离子残留、减少线痕等。 沿着这些路径，保利协鑫进行了多种高效产品的研发，并提供定制化产品解决方案以满足市场需求。以
黑硅技术助推金刚线切多晶硅片大规模应用，相关企业营收、净利润实现双增长。2014年至2016年，金刚线切割硅片被率先应用于单晶硅片切割。由于金刚线切割多晶硅片导致电池片制绒工艺后硅片反射率过高，2017年
资料整理
2016年多晶硅片仍然采用传统砂浆切片，2017年初，多晶硅片龙头保利协鑫率先引用湿法黑硅解决制绒问题，至2017年底金刚线切割多晶硅片渗透率已达到80%，预计2018年将完成全面替换
正从硅片、导电银浆、TCO靶材、制绒添加剂、设备等多方面入手。预计2018年，HJT产品整体成本与常规多晶的差距在20%，未来有望降低到10%以内。 在即将开幕的SNEC展会上，晋能科技还将携高效多晶
精度高，材料损耗低等特点。 目前单晶市场上对金刚线切割硅片已经完全接受，但在推进过程中也遇到过，其中制绒发白是最常见的问题。针对此，本文重点分析了如何预防金刚线切割单晶硅片制绒发白的问题。 金刚线切割
电致发光原理对组件进行缺陷检测。EL测试的图像亮度与电池片的少子寿命(或少子扩散长度)、电流密度成正比，太阳电池中有缺陷的地方，少子扩散长度较低，从而显示出来的图像亮度较暗。电池制造过程，一般包括制绒、扩散
实验
采用NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理，硅片的厚度为19010m，电阻率为20.5cm。分别对硅片进行单面POCl3磷扩散，等离子增强化学气相沉积(PECVD)法
摘 要：新型无醇添加剂碱溶液制绒可使硅表面形成1~3 m 的金字塔结构;通过对制绒过程研究，硅表面损伤层在250~500 s 被腐蚀掉，同时金字塔结构铺满硅表面，从500 s 延长至到1000 s
3.1PERC电池工艺流程及相关设备 PERC电池主要工艺流程包括9个方面:一是去切割损伤和制绒生成金绒面，在此工艺环节所用到的主要设备为捷佳创单晶槽式制绒;二是扩散生成PN结，在此工艺中所涉及设备为
为(4.45-3.1)60=81元。售价可提升50元，但硅片环节的成本却增加81元，这还没有考虑单晶电池制绒环节成本略高的不利因素。所以当前价格水平下，普通单晶组件完全没有竞争优势，结果就是：普通单晶电池转做
