低压扩散

各家沿用至今。 2014年，山西晋能第一次使用Centrothem的低压扩散设备，要求插片密度比原来常压扩散产能提高一倍，但当时所有的设备企业都没办法实现，因为间距降低，吸盘也必须做薄，碎片率很难

电磁铁驱动弹簧操作机构动作，从而控制断路器分闸。 从电子脱扣器的原理可以看出，其检测准确度，易于实现低压电器的数字化，符合低压电器数字化、智能化的趋势。 但电子脱扣器对设计、制造的水平要求也非常高
母线短路点/设备内部的持续能量注入，避免故障扩散、极大的降低火灾的发生概率，且具有检测精度好、保护一致性好，响应及时受控。 四.被动安全到主动安全 智能关断技术真正的价值在于实现了从被动安全到主动

海归博士及欧美设备专家，团队曾研发出首台高产能水平插片式低压扩散氧化炉和立式水平插片式等离子体化学气相沉积设备，拥有150余项专利，其中发明专利近40余项，参与了国家级半导体及光伏高端装备领域科技项目2

工艺，量产化困难度低。 图2. TOPCon 工艺流程图 目前用于生长高质量重掺杂多晶硅层的方法有LPCVD(低压化学气相沉积)和PECVD两种。一种是用LPCVD原位(或离位
)掺杂形成多晶硅，由于LPCVD沉积过程会带来绕镀问题，使电池性能退化，因此可选择离位掺杂，即LPCVD形成本征多晶后再进行扩散或离子注入掺杂，形成重掺杂的多晶硅;另一种是使用PECVD沉积掺杂非晶硅或微

、拉普拉斯均可提供低压扩散炉。 薄膜沉积设备逐步突破，提效降本前景可期：在 TOPCon 电池制造工艺中，LPCVD 技术被大量应用于非晶硅沉积的 量产实践中。目前用于 TOPCon
%的转换效率提升，与现有 PERC 产线兼容性较高，已成为主流标配技术：PERC+SE 技术以扩散后的 PSG 层为磷源，利用激光可选择性加热的特性，在电池正表面电极位置进行磷的二次掺杂，形成选 择

硅片寿命的损伤; 2) 低压硼扩选择性掺杂技术 硼源在炉管内及硅片表面分布更加均匀，扩散后方阻均匀性好。另外沉积时间短，可将工艺时间缩短至 90 分钟以内，显著降低高温对硅片寿命的损伤; 3
先进性介绍》，TopCon 电池片具备以下技术特点： 1) 离子注入掺杂多晶硅钝化技术 通过离子注入进行掺杂，可以控制掺杂原子的剂量和在非晶硅中的分布，避免常规扩散掺杂长时间的高温过程对隧穿氧化层及

气体流量过冲； （2）源温过高，使扩散源的蒸气压过大； （3）源的纯度不高，含有杂质或水份； （4）预淀积时扩散温度过高，时间太长； 为了改善高浓度扩散的表面，常在浓度较高的预淀积气氛中加一点氯气

产品为电池片环节生产所需的部分设备和所需的零部件、原材料，有以下4类光伏设备： (1)等离子加强型化学气相沉积设备(PECVD)(2)低压化学气相沉积设备(LPCVD)(3)低压扩散炉(4)原子层沉积

章节，对光伏领域所需的进口化学气相沉积设备，低压扩散设备、原子层沉积设备等设备和所需的零部件、原材料免征关税和进口环节增值税。 税务部门调查数据显示，今年前三季度，制造业与相关的批发零售业合计新增