低压扩散

25.2%。TOPCon3.0光量子效率的提升核心技术：精密扩散与微量掺杂电池正面i-SE的核心是实现金属栅线下面的局域的精密扩散，形成符合余误差函数的杂质分布，这涉及到在大规模工业化生产条件下的激光
光斑的塑形技术、焦点控制技术、多物理场耦合技术以及硼杂质的源的沉积技术。一道新能通过高密度激光，精确控制焦点在硅片处的能量场分布和温度场分布，通过精密扩散形成了与激光能量分布一致的高浓度掺杂区。电池背面

大致分为LPCVD本征+磷扩(低压力化学气相沉积法)、PECVD原位掺杂、PVD原位掺杂(即物理气相沉积法)。要做TOPCon，钝接结构制备是基础，但要做好TOPCon，正面硼扩散是相关企业要解决的
到生产线上。晶科能源表示，效率潜力是公司选择TOPCon的原因之一，同时，TOPCon在设备投资和生产成本上相比于HJT更具优势。TOPCon电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、BSG去除和背面刻蚀

制造318.交流调频调压牵引装置制造319.高压真空元件及开关设备，智能化中压开关元件及成套设备，使用环保型中压气体的绝缘开关柜，智能型（可通信）低压电器，非晶合金、卷铁芯等节能配电变压器制造（二十二
TFT-LCD玻璃基板除外）322.偏光片基膜、扩散膜研发、制造323.电子书材料（电子墨水屏等）的研发、制造324.直径8英寸及以上硅单晶制造325.直径12英寸及以上硅片制造326.大屏幕彩色投影显示器

降本增效是光伏行业可持续发展的关键，随着持续的效率提升和成本降低压力，光伏电池和组件技术快速更新迭代。目前来看，PERC电池性价比颇高，但随着其效率挖掘潜力逐步接近极限，若想要再大突破，显然是
环节。工艺繁杂是TOPCon的痛点，且目前技术路线并不统一，多条技术路线并行。主要有三种，第一种是LPCVD 制备多晶硅膜结合传统的全扩散工艺;第二种是LPCVD 制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺

兼容性。电池制备的基础工艺包括清洗制绒，扩散，清洗刻蚀，镀膜，激光开槽，丝 印烧结等步骤。(1) 清洗制绒由于硅片在切割过程中表面会产生大量的油污，金属污染和机械损伤，因此 要对硅片进行酸洗(多晶)或者
，减少光学损失，金刚线切割硅片经过清洗制绒后表面反射率可从50%降低至 15%以下。(2) 扩散使用液态磷源(三氯氧磷)/硼源(硼酸三甲酯等)在高温作用下在硅片表面扩散沉积，主要作用是形成电池的 PN

) 溶液相结合的刻蚀液，并增加了硅片的插片间距，适度降低了制绒过程中的鼓泡速率，以便得到反射率一致的均匀结构的绒面。2) 低压扩散：太阳电池发射极常规的方阻平均值为 70～80 Ω/□，为有效提高此类
太阳电池的短波光谱响应，对低压扩散工艺进行了改进，使此类太阳电池发射极的方阻平均值达到 130～140 Ω/□。3) 激光掺杂：此类太阳电池的激光掺杂采用纳秒级 532 nm 绿光激光器，优化

的基础工艺包括清洗制绒，扩散，清洗刻蚀，镀膜，激光开槽，丝 印烧结等步骤。 (1) 清洗制绒 由于硅片在切割过程中表面会产生大量的油污，金属污染和机械损伤，因此 要对硅片进行酸洗(多晶)或者碱洗
，金刚线切割硅片经过清洗制绒后表面反射率可从50%降低至 15%以下。 (2) 扩散 使用液态磷源(三氯氧磷)/硼源(硼酸三甲酯等)在高温作用下在硅片表面扩散沉积，主要作用是形成电池的