近日，由三一硅能装备公司研发的PECVD和PVD组建的异质结试验线，异质结电池最高效率首次突破25.29%。
此次突破充分证明自研设备的工艺性能和可靠性，为三一异质结电池装备产业化奠定坚实基础。
三一异质结试验线电池效率首次突破25%，达到25.29%。后续将开发双面微晶工艺，效率有望更上一个台阶。
三一硅能装备公司自研的PECVD和PVD，于2022年项目立项，在短时间内完成方案设计、制造组装、调试交付、性能优化等一系列工作，为电池片高效率提供坚实有力的保障。
当前自研设备处于1.0版本，2.0版本正在稳步推进，打造高产能、高效率、低成本的异质结电池装备指日可待，为异质结电池的大规模产业化贡献三一力量。
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国家知识产权局信息显示，嘉兴阿特斯技术研究院有限公司取得一项名为“异质结电池的制备方法及镀膜设备”的专利，授权公告号CN116031335B，申请日期为2021年10月。天眼查资料显示，嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，成立于2020年，位于嘉兴市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本31000万人民币。通过天眼查大数据分析，嘉兴阿特斯技术研究院有限公司参与招投标项目153次，专利信息283条，此外企业还拥有行政许可8个。
近日，央企中电科红太阳首台1.2GW超大产能异质结设备成功下线并顺利发货。此次推出的全新一代设备实现多项技术突破，整板载片量跃升至近300片/框，非晶膜层均匀性≤5%，微晶膜层均匀性≤6%，在达成1.2GW超大产能的同时，确保了电池片生产的高良率与一致性。
由琏升科技研发的钙钛矿/晶硅异质结叠层电池再次实现里程碑式效率跃升——经国家太阳能光伏产品质量检验检测中心权威认证，转换效率从32.99%提升至33.45%。这一效率突破的核心在于琏升科技对HJT底电池的深度重构和钙钛矿顶电池界面工程的升级。因此，异质结及异质结叠层电池具备“高效、轻质、低成本、柔韧、抗极端环境”等特性，有望成为平衡高效率与低成本的下一代技术路线。
近日，经中国计量科学研究院权威认证，迈为股份采用自主研发的可量产设备与工艺,成功研制的钙钛矿/晶硅异质结叠层电池,光电转换效率达到32.38%。公司与苏州大学、北京工业大学等高校团队合作，成功开发出认证效率高达33.6%的柔性钙钛矿/晶硅异质结叠层太阳能电池。
以新疆哈密100MW光伏项目为例，相较于主流1500VTOPCon方案，采用2000V系统的HJT760W组件可降低初始投资约0.15元/瓦，其中BOS成本下降达11.57分/瓦。“系统电压升级改变了直流侧设计逻辑，”ChristianComes分析道，“更高的串联电压使每串可连接36片组件，从而减少15.73%的支架桩基用量、23.87%的直流电缆需求，土地利用率提升4.17%。”
作者利用化学气相沉积法制备的双层MoSe-WSe-MoSe横向异质结，首次在该结构中实现了通过光子能量和栅极电压对光导行为进行动态、可逆的精准调控。这是首次在二维横向异质结中实现如此灵活的光电调控。在WSe区域，则观察到强烈的、尖锐的缺陷态或陷阱态相关发射。结论展望本工作突破传统垂直堆叠异质结的局限，利用化学气相沉积法制备了高质量的双层MoSe-WSe-MoSe横向异质结，并在此基础上制造出多功能光晶体管。
2025年12月1-3日，第八届国际异质结大会和首届国际钙钛矿-硅叠层大会在韩国大田隆重举行。面向27%效率的下一代异质结技术布局在上述已验证且行之有效的提效技术基础上，彭振维进一步介绍了迈为对下一代异质结电池的探索与发现。异质结成本与可持续性优势凸显除了效率领先，异质结技术的低成本潜力正加速释放。随着银浆价格持续上涨，异质结电池低银耗的优势日益突出，成本竞争力进一步增强。
近日，“2025年度中国可再生能源学会科学技术奖”评选结果正式揭晓，通威“高效率低成本硅异质结太阳电池技术”凭借在技术创新、成果转化及行业引领等方面的突出表现，历经多轮严苛评审，成功斩获科学技术奖一等奖。科学技术奖公告文件获奖项目名单通威作为异质结技术的先行者，始终致力于技术创新，为行业高质量发展持续赋能。
近日，迈为股份(300751)发布公告，宣布与*ST金刚(甘肃金刚光伏股份有限公司)子公司就3.71亿元应收账款达成债务重组协议，以“现金+以股抵债”方式化解欠款风险，预计将产生8546.50万元重组损失。
近日，金辰股份可再生能源实验室传来重磅进展：不仅在晶体硅底电池研发上积累了硬核技术，还已与海内外多家研究机构签订供货协议，2024 年以来累计供货超 1 万片，以优质产品与专业服务赢得广泛认可。
近年来，硅异质结技术因其卓越的钝化效果，成为冲击效率极限的明星。结果显示，天合光能的SHJ电池在VOC×FF这一核心乘积项上具有明显优势，且其宣称的高效率有着极高的电池-组件转换比率作为坚实支撑，结论更具说服力。文章最后展望，基于目前近乎完美的钝化水平和低电阻损失，硅异质结前背接触技术是逼近29.4%理论极限的最有希望的载体。
