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斯威克EVA封装材料通过PID测试
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“低价换市场”,正将光伏行业拖入深渊。冰冷的第三方检测数据揭示残酷现实:某央企电站中,低价组件的实际衰减率远超技术协议标准,组件质量隐患丛生。价格战阴影下,性能失守正在透支行业的未来信用。7月3日,工信
硅异质结太阳能电池对紫外线(UV)敏感。二次离子质谱(SIMS)分析表明,365nm 紫外线会解离 Si-H 键,导致氢原子从 a-Si:H/c-Si 界面迁移并形成亚稳态缺陷。东方日升全球光伏研究院联合东南大学,针对n型异质结电池和组件的紫外稳定性进行了深度机理性的研究,开发了低紫外损伤连续PECVD 工艺,通过优化i1钝化层氢含量达33%( a-Si0x:H)i2钝化层氢含量达25%(a-Si:H),使载流子寿命提升至3.6ms,紫外诱导衰减(UVID)从1.59%降至 0.71%。
近日,中国光伏行业协会分享了年度报告中第七篇,我国钙钛矿太阳能电池发展情况我国钙钛矿太阳能电池发展情况
随着半导体产业加速向中国市场转移,精密温控技术的市场需求持续攀升,中国本土企业正以创新实力重塑市场格局,解决行业关键元器件“卡脖子”问题。厦门宇电自动化科技有限公司(简称“宇电温控科技”)作为国内工业温控领域的“隐形冠军”,历经35载技术沉淀,成功突破半导体级温控技术壁垒,实现了从光伏到半导体设备的全产业链国产化替代。
实验室小面积钙钛矿太阳能电池(PSCs)的效率虽已接近27%,但大面积器件的均匀性和长期稳定性仍是产业化的关键瓶颈。传统自组装单分子层(SAMs)材料难以同时满足高效电荷传输、高稳定性和大面积加工的需求。
阳光穿透清澈水体,照射在仅0.5厘米深的实验装置中。意大利国家研究委员会物质结构研究所的科学家们记录下一组令人振奋的数据:经过特殊设计的钙钛矿太阳能电池,其在水下的功率转换效率(PCE)竟比在同等光照条件的空气中测试时高出约8%。这一发现挑战了钙钛矿材料“惧怕潮湿”的传统认知,为水下清洁能源应用开辟了新路径。
同时实现有效的缺陷钝化和优异的电荷提取能够最大化钙钛矿太阳能电池(PSCs)的功率转换效率(PCE)。与先前已有的基于异质结的 PSCs 不同,韩国蔚山国立科学技术院&高丽大学研究团队引入一种全新的局域相位调制异质结构,它能够对 PSCs 产生上述效果。在该结构中,我们将大量新开发的有机半导体(CY 分子)掺入整个钙钛矿晶格以及其表面和晶界。 这种局域相位调制异质结构 PSCs 实现了 26.0% 的优异 PCE(认证值为 25.28%)。多种表征证实了掺入 CY 的器件相比未掺入 CY 的参考器件
在纹理化硅基板上实现具有最佳封装配置的高度有序和均匀覆盖的自组装单层(SAM)仍然是进一步提高钙钛矿/硅叠层太阳能电池(TSC)效率的关键挑战。
2025年7月6日,常州亿晶光电科技有限公司(以下简称“亿晶光电”)技术研发中心(CNAS认可实验室)成功通过中国合格评定国家认可委员会(CNAS)的定期复评审。此次顺利通过,标志着该中心在管理体系、技术能力和检测水平等方面持续符合国际标准要求,其检测结果继续获得全球互认资质,为亿晶光电产品拓展海外市场提供了强有力的权威技术支撑。
近年来,钙钛矿太阳能电池(PSC)在光电转换效率(PCE)上频频突破,成为下一代光伏技术的热门方向。界面层材料——特别是自组装单分子层(SAM)——在提高电池性能方面扮演了至关重要的角色。然而,目前常规SAM存在电荷传输效率低、稳定性差和大面积可加工性差等瓶颈,限制了其商业化应用。
近年来,在空穴传输层(HTLs),尤其是自组装单层(SAMs)的辅助下,倒置钙钛矿太阳能电池(PSCs)发展迅速。然而,目前器件性能强烈依赖于 HTL 厚度,其厚度需严格控制在 <5 nm,若 SAM HTL 厚度超过 10 nm,将导致效率大幅损失。在此,华东师范大学方俊锋&李晓冬报道了一种厚度不敏感的聚合物 HTL(P3CT-TBB),通过 1,3,5 - 三(溴甲基)苯(TBB)对聚 [3-(4 - 羧基丁基)噻吩](P3CT)进行 p 型掺杂制备而成。TBB 可从 P3CT 的噻吩链中夺取电





