新日本制铁（新日铁）着手开展作为新一代功率半导体底板材料的SiC（碳化硅）晶圆业务。将从2009年4月1日起通过子公司新日铁材料开始销售直径2～4英寸（50～100mm）的SiC晶圆。此前新日铁一直提供试制用晶圆的样品，而此次将从4月份起供应质量可用于元件量产的晶圆。计划2015年前后使该业务的年销售额规模达100亿日元。“毫无疑问，我们将成为仅次于（垄断SiC晶圆市场的）美国可瑞（Cree）公司，成为业界第二。不过我们的晶圆质量可是全球第一位的”（新日铁材料董事社长石山照明）。
新日铁材料将开始销售直径为2英寸（50mm）、3英寸（76mm）及4英寸（100mm）的n型4H-SiC晶圆。所有产品的中空贯通缺陷（微管）的存在密度均降到了1个/cm2以下。在引起元件成品率下降的位错缺陷方面，与可瑞的晶圆相比，新日铁的水平也毫不逊色。“为了提高SiC晶圆的结晶质量，采用了通过制铁用高炉开发的超高温温度控制技术”（新日铁新材料研究部长大桥渡）。
日本国内首次推出直径100mm晶圆，150mm晶圆将于2011年样品供货
这是日本国内厂商首次推出直径100mm的SiC晶圆产品（参阅本站报道1，参阅本站报道2）。该尺寸是量产元件时使用的最小尺寸，因此，此次实现产品化“将成为加快SiC晶圆元件量产步伐的原动力”（新日铁材料董事兼技术部长巽宏平）。可瑞计划09年～2010年推出的直径6英寸（150mm）的晶圆产品，“将于2011年开始样品供货”（巽宏平）。另外，新日铁此次推出的直径50～100mm的晶圆产品均为没有形成外延膜（Epitaxial Film）的普通晶圆（Bulk Wafer）。关于事先形成外延膜的外延晶圆（Epitaxial wafer），“我们已经拥有制造设备，目前正在探讨当业务需求增高时如何实现业务化的问题”（巽宏平）。
2009年3月26日举办了新闻发布会。左侧为新日铁材料董事社长石山照明。右侧为新日本制铁尖端技术研究所所长桥本操。
新日铁推出的直径2～4英寸（50～100mm）的SiC晶圆产品。
提倡实现业界最高质量水平。
新日铁材料最初计划主要面向日本国内元件厂商销售SiC晶圆。生产基地为该公司的子公司日铁微金属的寄居工厂（埼玉县）。预计最初以月产200～400张的规模进行量产，年销售额将达数亿日元。随着元件市场的发展，“生产规模及销售额也将实现数倍以上的增长”（巽宏平）。关于SiC功率半导体的用途，“最初将应用于产业设备、服务器及太阳能电池等领域，随后扩大到混合动力车及电动汽车领域”（新日铁材料的石山）。
“不同于硅晶圆”
新日铁并不是首次开展半导体晶圆业务。该公司此前曾开展过硅晶圆业务，不过03年退出了该业务。此次，关于开展SiC晶圆业务的理由，该公司例举了两点。“第一，与硅晶圆时期不同，在开展业务的过程中可确保自主开发的技术；第二，设备投资规模小，开展业务的风险较小”（新日铁材料的石山）。（记者：大下 淳一）
