新华网西宁５月１５日电（记者赵颖、钱荣）地处青藏高原的青海省，近日出台了《２００７年可再生能源建筑应用工作方案》，确定今后将重点推进太阳能资源在建筑中的推广应用。
青海省建设厅科技处负责人说，由于地处青藏高原，青海太阳辐射强度大，光照时间长且分布均匀，热能质量较好，太阳能资源丰富，可利用性极强。今年，青海省太阳能资源应用重点之一是要解决太阳能热水器和建筑的配合问题。此外，太阳能还将作为一种“补充能源”用于采暖。
目前，青海省高寒农牧区的一些中小学校已经开始探索建设太阳能采暖教学楼，解决冬季取暖问题。这种太阳能采暖楼以快速集热墙和直接受益为主要采暖形式，采暖效果比较理想。有关部门对青海黄南藏族自治州泽库县民族中学太阳能教学楼的监测数据表明，即使是在室外温度达零下３８摄氏度时，楼内的最高温度可以达到１５摄氏度。
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郭明轩指出，单靠晶硅体系已难再实现大幅提效，而钙钛矿叠层凭借更高的理论极限，成为突破路径。在介绍华晟的最新进展时，郭明轩透露，公司已建成兆瓦级硅钙叠层小试线和百兆瓦级中试线，在210mm半片尺寸上实现29.01%的产线效率，小面积效率突破34.02%，处于行业领先。展望未来三到五年，郭明轩博士判断，钙钛矿叠层将在场景化示范基地率先应用；到“十五五”末期，有望形成成熟产品并实现一定规模的市场渗透。
有机A位阳离子丰富的选择性和可设计性，为通过化学相互作用调控金属卤化物钙钛矿的多种性能提供了巨大机遇。结构-性能关联机制：系统阐明了A位阳离子的分子结构如何影响其与钙钛矿骨架的相互作用，并最终决定器件的效率与长期稳定性，为理性分子设计提供了理论基础。低维/3D协同策略：通过引入大尺寸有机阳离子构建2D/3D钙钛矿异质结构，在保持高效率的同时，显著提升了器件的环境稳定性与离子迁移抑制能力。
钙钛矿太阳能电池因其轻质、超高功率转换效率和可调光电特性，为超越传统光伏技术的应用提供了前所未有的机遇。然而，目前关于PSCs在这些特殊环境中的研究仍较为零散，且对其在耦合外部应力下的耐受机制缺乏深入理解。
二氧化锡薄膜常用作p-i-n钙钛矿太阳能电池中的缓冲层，用于保护底层材料在电极溅射过程中免受损伤。重要的是，将该SnO层集成到p-i-n太阳能电池中后，其真空沉积过程有效缓解了电极溅射引起的性能衰退，钙钛矿/C层结构保持完好。该研究确立了热蒸发SnO作为原子层沉积SnO的有力替代方案，适用于p-i-n钙钛矿太阳能电池中的缓冲层应用。
全文速览近日，中国科学院长春应用化学研究所等单位联合在钙钛矿太阳能电池中开发了两种开壳层双自由基自组装分子，通过给体-受体共面共轭策略和位阻保护设计，同步解决了钙钛矿太阳能电池中空穴传输层的导电性、稳定性与大面积加工均匀性难题。开壳层分子通过多重共振结构稳定，呈现分子内自由基离子对状态。展示了组装密度分布图，通过SECCM-TLCV空间映射显示RS-1与RS-2的组装密度更高且分布均匀，证明双自由
在河北康保的严寒之地，一座名为SolarArk5.0的曲面零能耗建筑正悄然崛起。极端环境下的硬核表现-30°C低温，依旧稳定运行康保的冬季，低温、大风是常态。然而，在整个建造期内，这套光储系统始终稳定输出，无惧极端气候。它让清洁能源的应用，从建筑“建成后”的运营，前置到“建造中”的每一个环节，真正实现了从施工到使用的全周期零碳。在零碳建筑的道路上，科技不仅是工具，更是伙伴。
在低温加工下的碳基钙钛矿太阳能电池因其增强的稳定性和经济高效性而受到关注。然而，这些优点往往被器件性能下降所抵消，主要原因是空穴传输层与碳电极之间的电荷传输效率低。箭头表示空穴传输的方向。有机–无机杂化钙钛矿太阳能电池在过去十年中其光电转换效率经历了显著提升，从3.8%上升至27.0%。此外，Spiro-OMeTAD与碳电极之间的接触不良限制了界面电荷转移，导致器件性能下降。
虽然NiO作为一种空穴传输材料引起了关注，但在钙钛矿太阳能电池功能背景下，其固有行为的系统性计算研究仍然缺乏。否则，电荷载流子将在HTL/钙钛矿界面处发生复合。随着起始能量超过可见光范围的最大边缘，这表明NiO在低能量区域具有较高的光学透射率。综上所述，这些结果将NiO定位为一种兼具机械稳定性、热耐久性以及优异光电性能的多功能HTM，使其成为新一代钙钛矿太阳能电池的有力候选材料。
国务院印发《关于深入实施“人工智能+”行动的意见》。国家发展改革委、国家能源局也联合印发《关于推进“人工智能+”能源高质量发展的实施意见》，推动人工智能与千行百业深度融合。能源行业正抢抓技术革命机遇，加快构建新型能源体系。“我们致力于将人工智能转化为构建新型能源体系的‘软联通’和‘硬支撑’，”国家管网集团有关负责人表示，基于管网大模型构建的智能决策体系，已能实时感知管网状态、精准研判运行风险。
更重要的是，由于钙钛矿体相的本征特性，这种电子积累效应延伸至整个钙钛矿吸收层，使其平均电子浓度提升约40倍，从而大幅增强了电子电导率，降低了传输损失。Figure4展示了最终器件的卓越性能和稳定性。
