氮化硅

、电磁辐射：被误解的"隐形杀手"1. 物理本质：非电离辐射的温和特性光伏发电的核心是半导体光生伏特效应。当太阳光穿透光伏板表面的抗反射涂层(通常为氮化硅或二氧化钛)，能量超过硅禁带宽度的光子(波长1.1μm

半导体材料的光生伏特效应。当太阳光子穿透光伏板表面的防反射涂层(通常为氮化硅或二氧化钛)，能量超过硅材料禁带宽度的光子(波长小于1.1μm)会激发电子-空穴对。这些载流子在内建电场作用下分离，形成

)SRD主要表现为表面钝化层的性能退化，通常发生在LeTID恢复之后。研究发现，SRD的退化程度也与氢浓度呈正相关。氢在退火或光照条件下会向表面扩散，导致表面钝化层的性能下降。例如，在铝氧化物/氮化硅

电池性能不受影响。同时，在硅片两面沉积氮化硅(SiNx)保护膜，切割后去除边缘的SiNx薄膜，为底部电池提供了可靠的保护。顶部电池的结构同样精细，由MeO - 2PACz自组装单层膜、氧化铟锡(ITO

高温在第一半导体区生成氧化硅掩膜层代替传统的氮化硅掩膜层，使得硅片背面的工艺流程大幅度缩短，有利于提高生产效率，同时使得整个工艺和设备成本显著降低，同时氧化硅掩膜层厚度与激光器的功率需要满足特定公式，以保证第一半导体层处于最优的钝化水平的同时能够保护第一半导体层不受制绒清洗的破坏。

场景中，BC还是有用武之地的。包括晶澳在内，头部企业都很开放，并没有人为给技术设置鸿沟。比如对TOPCon很重要的氧化铝、氮化硅体系，就是从PERC技术借鉴而来的;TOPCon、异质结都在研发0BB等

钝化材料，如非晶硅、氧化硅、氧化铝、氮化硅等，使其吸收的光子几乎全部能够转化为载流子，量子效率超过95%;第三，低成本：硅在地壳中的含量达到27.6%，取之不尽，用之不竭，因而不受材料储量的限制，目前

的同时，还能降低电池的制造成本。半切片钝化技术的关键工艺钝化层的制备：钝化层的质量和均匀性直接影响电池的性能。目前，常用的钝化材料包括二氧化硅、氮化硅等，通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD

按照一定的周期性，在空间排列形成具有一定规则的几何外形。常见的晶体材料包括：金属晶体：如铁、铜、金、银等。离子晶体：NaCl,CuSO4等介质晶体：氧化硅，氮化硅等可以是晶体，也可以是非晶体半导体晶体