SiC

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北京低碳院决定联合支持第十一届中国国际储能大会召开来源：中国储能网发布时间：2021-04-25 17:00:19

、核心技术、系统集成方案的开发研究及产业化，助力集团新能源业务板块的发展。针对光伏建筑一体化应用，低碳院自主开发了全球首个超薄全碳化硅高频隔离光伏逆变器，采用第三代半导体碳化硅(SiC)器件，自主研发

北京低碳清洁能源研究院第十一届

为何光伏发电能在可再生能源发电中占领先地位？来源：安森美半导体发布时间：2021-04-13 16:00:05

SiC的一些优势在功率升压电路中发挥了作用，它使太阳能转换的效率更高。本文主要谈到一种电路设计，用于使太阳能电池阵列的输出阻抗(随入射光的水平而变化)与逆变器所需的输入阻抗相匹配，以实现最高效的转换
，它会损坏由纯正弦波AC供电的更复杂的电子设备。因此，逆变器设计成为一个平衡的关键，一方面增加开关频率以提高能效、工作电压和发电量，另一方面将平滑方波所用的辅助元器件的成本降至最低。 SIC的优势

光伏发电可再生能源光伏市场

第五届硅晶体生长技术交流会会议时间和演讲报告征集来源：光伏新闻发布时间：2021-04-01 08:46:31

复合材料在单晶热场中的作用与思考》的报告。科友半导体技术总监吕铁铮教授做《SiC晶体生长及展》的报告浙江大学余学功教授做《大尺寸直拉硅单晶的生长技术及缺陷研究》的

2021年第五届硅晶体生长

通向成功的禁带：第三代半导体国产化为光伏带来新机遇来源：索比光伏网发布时间：2021-03-09 12:25:25

微电子产业; 第二代半导体材料包括砷化镓以及磷化铟，主要应用在射频通讯产业以及光电产业; 第三代半导体以碳化硅以及氮化镓为代表，可应用在更高阶的高压高频的功率元件领域。碳化硅(SiC)的
击穿电压是传统硅器件的十倍以上，并具有比硅更低的导通电阻，栅极电荷和反向恢复电荷特性，以及更高的热导率。这些特性意味着SiC器件可以在比硅器件更高的电压，频率和电流下切换，同时更有效地管理散热。由于

光伏产业半导体国产化三安集成

下载丨碳化硅半导体材料与器件来源：半导体在线发布时间：2021-02-02 09:59:33

本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著,主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括:SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器

碳化硅半导体材料 SiC材料光伏市场

光伏设备交付量或达71亿光伏，上游龙头业绩出炉来源：财经达人发布时间：2021-01-27 14:33:32

英寸加工设备的研发和产业化在加速推进。同时，公司已经开发出第三代半导体材料SiC长晶炉、外延设备，其中SiC长晶炉已经交付客户使用，外延设备完成技术验证。

光伏单晶炉光伏设备 SiC长晶炉

为拓展公用事业光伏道路德国开发中压电网用碳化硅逆变器来源：微锂电发布时间：2021-01-27 10:05:28

德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)开发出一种250千瓦碳化硅(SiC)逆变器,可用于连接到中压电网的公用事业规模光伏项目。与使用硅晶体管的标准光伏逆变器相比,这种SiC设备的创造者声称当
SiC晶体管,其功率损耗比标准硅晶体管低。弗劳恩霍夫科学家指定:这使得逆变器堆栈有可能以16 kHz的开关频率运行,使用最先进的硅晶体管,在这个电压等级下,开关频率只可能低10倍左右。根据科学家

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