光伏发电领域和铁路领域将进一步推进SiC及GaN等新一代功率半导体的采用。在2014年2月举行的智能电网展会第5届国际智能电网EXPO上
日本风险企业Sicoxs开发出了低成本生产制作SiC功率元件使用的SiC单晶基片的新方法,主要是通过减小SiC单晶体的厚度来削减成本。
日本风险企业Sicoxs开发出了低成本生产制作SiC功率元件使用的SiC单晶基片的新方法,主要是通过减小SiC单晶体的厚度来削减成本。据介绍,采用新方法后,可将制造成本降至原来的1/2以下。
近日,一家陷入困境的德国企业声称,英利欠下其逾3000万美元负债,并补充道这家中国企业所欠的巨额负债是这家德国企业破产的背后
近日,一家陷入困境的德国企业声称,英利欠下其逾3000万美元负债,并补充道这家中国企业所欠的巨额负债是这家德国企业破产的背后主因。但英利集团对此予以驳斥。
根据研究机构Lux Research报告显示,受太阳能模组的下游需求驱动,宽禁带半导体——即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元,意味着其稳定的复合增长率(CAGR)达到7%,略低于可再生能源和基于电网的能源设备的复合增长率9%。随着GaN 和SiC器件进入市场,将为小型系统带来最大的竞争优势,如用于住宅和商业太阳能设施的微型逆变器和小型串式逆变
索比光伏网讯:根据研究机构LuxResearch报告显示,受太阳能模组的下游需求驱动,宽禁带半导体即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)将引领太
索比光伏网讯:安贝格地方法院日前委任律师christopher Seagon为硅片浆料专家SiC Processing的管理人。Seagon表示:我们将准
安贝格地方法院日前委任律师Christopher Seagon为硅片浆料专家SiC Processing的管理人。Seagon表示:我们将准确看待SiC Processing