SiC
逆变器的适配性。实验室建设分立式IGBT评估平台、IGBT模块评估平台，进行仿真、损耗、温升、应力、双脉冲测试等;SiC DIODE和SiC MOSFET评估平台，可应用于更高频更高功率密度
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率器件及模块，进一步推动碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。发展小型化、低功耗、集成化、高灵敏度的敏感元件。实现集成多维度信息采集
，相比于IGBT/SiC直流变压器DAB模块，容量提升10倍以上，成本和体积减少1/3以上;在直流故障保护方面，本项目基于国产逆阻型IGCT器件研制了新一代全固态故障电流控制器，实现百微秒开断10kA
了光储充专场技术创新研讨会，共同探索光储充这一蓝海市场的技术难点与商业模式。
第三代半导体技术。说完新能源产业，就不得不提第三代半导体技术，新能源汽车已成为SiC最大的应用市场，随着其技术的不断发展
SiC技术专场研讨会，共同探讨第三代半导体技术应用现状及未来发展趋势，为电源企业展现上游供应商当前最新的配套解决方案及产品开发进度。
便携式电源市场崭露头角。持续的疫情限制人们出行，让越来越多的人对
，SiC)模块研发、设计、制造与系统应用的高新技术企业，产品主要应用于新能源汽车、电机驱动、光伏逆变、工业变频、高频电源等行业。 智慧芽数据显示，中恒微近期主要专注于IGBT、陶瓷
发展方向是速度更快，功能更强，效率更高。功率器件材料发展较快，正在由传统硅基功率器件向宽禁带材料(SiC、GaN)功率器件发展，碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料。可以这样比喻，硅基材料好比
SiC功率器件，发热量只有硅器件的1/2，有非常优异的高温稳定性，散热处理更容易，可以减小体积、减轻重量，提高逆变转化效率，降低损耗，提高光伏发电站经济效益，为光伏行业降本增效做出贡献。
全球宽禁带
积累，公司还先后开发了IGBT、IPM、 SiC 器件等功率半导体产品，多个产品性能指标达到行业领先水平。 比亚迪半导体IGBT 已经历多次技术迭代升级，在减小模块尺寸、提高输出功率、降低功率损失方面将持续不断优化。
密不可分。 这时，宽禁带半导体的优势就显现出来了。碳化硅(SiC)的击穿电压是传统硅器件的十倍以上，并具有比硅更低的导通电阻，栅极电荷和反向恢复电荷特性，以及更高的热导率。这些特性意味着SiC器件
。
第三代半导体材料碳化硅(SiC)的机会来了。
半导体迭代的区别只取决于其材料。如果说第一代硅材料半导体已经接近完美晶体，那么以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体具备更优异的材料物理特性，为进一步提升
电力电子器件的性能提供了更大的空间。
目前的车规级半导体都以硅基IGBT为主，但近年来，SiC半导体材料迅速崛起。相比于硅基IGBT，SiC器件性能更优、体积更小、能耗更低，缺点则在于成本较高，同等
SLMi823x 非常适合 MOSFET/IGBT、SiC 和 GaN 场效应管的隔离驱动。 02 兼容光耦带DESAT保护功能的IGBT/SiC隔离驱动SLMi33x系列 SLMi330CG-DG
