SiC
半导体解决方案展商，以“芯”视角出发，打造全新的IGBT & SiC 模块封测工艺示范线，三大核心工艺段荟萃行业60个半导体先进设备及材料，助力企业实现技术全面升级、产品更新迭代。本次示范线首日就
发电量，提高收益。阿特斯专利风道和结构设计，优选的品牌电子零部件，确保关键性电子元器件低温运行，延长逆变器的使用寿命。大功率逆变器采用德系IGBT及阿特斯标准特制的电感电容、电阻等电子元器件，结合高效SiC
，全球功率半导体分立器件和模块的市场规模将分别达到76亿美元和113亿美元。NEPCON ASIA 2024全新推出功率半导体封测工艺示范区，重点聚焦SiC模块领域的三条新工艺路线，荟萃60家半导体
、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等，为客户提供一揽子产品解决方案。公司产品广泛应用于汽车电子、新能源、工控、电源、家电、照明、安防、网通、消费电子等多个领域。公司于2014年1月23日在深交所上市。
首创的电芯立体环绕散热技术，截面温差小于2℃，电芯长期处于最佳工作温度，衰减慢，使用寿命长达十年以上，同时支持1C倍率充放电;系统效率上，PCS采用全SiC设计，电芯液冷散热，全年综合效率91%，减少
99.01%，支持20A的组串工作电流，完美匹配182和210组件。同时，其防护等级达到IP66及C5，可应用于恶劣环境。这款逆变器采用高效SiC器件、高效率的电路设计和专利散热系统，产品在环境温度45
、先进的功能和用户友好的设计，是住宅和商业应用的理想选择。先进的SiC MOSFET技术全新逆变器采用下一代SiC MOSFET组件，不仅提升了性能，还显著减小了产品体积。这一突破性技术为性能和紧凑设计
募投项目实施主体、实施方式、募集资金投资用途及投资规模均保持不变的前提下，公司基于当前募投项目的实际进展，决定对“第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化”项目的预定可使用状态日期进行
、募集资金投资用途及投 资规模不发生变更的情况下，公司根据目前募投项目的实施进展，拟对募投项目 “第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化”达到预定可使用状态 的日期延期至2025年8月。该事项无需提交股东大会审议。
高爆发、高灵巧类动作行为的人形机器人通用型硬件平台研发进程，促进人形机器人个性化、商业化、规模化应用。2.未来信息。(4)第三代半导体。加快碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等第三代半导体材料生长和
表征、光电芯片等技术研发，推动基于GaN基蓝绿光Micro—LED芯片、SiC衬底LED照明、EUV光刻胶等技术突破，推动12英寸大尺寸硅片和大尺寸微电子级硅拉单晶等第二代半导体产业化。(5)光子。突破
