SiC

件，如数字隔离器，隔离驱动，隔离采样与隔离接口等，来实现低压侧控制电路和高压侧电源电路之间的强弱电隔离与信号传输。纳芯微可提供基于电容隔离技术的丰富隔离产品组合，以及SiC二极管和SiC
模拟芯片机会1. 高能效和高功率密度随着光储系统功率密度和能源转换效率的不断提升，电源系统开关频率、开关损耗和散热性能都需要满足更高的指标要求。纳芯微可以提供支持1200V电压的SiC二极管、SiC

75A大电流树立行业新标杆此次华昱欣科技推出的320kW智能组串逆变器，通过创新的eDPWM控制方式，将逆变器损耗降低14%，转化效率高达99.03%;采用第三代SiC半导体元器件，实现75A超大电流

。半导体封装技术展IC Packaging Fair(以下简称ICPF)，作为引领行业风潮和推动创新的领先阵地，主办方强势聚焦IGBT& SiC模块封测工艺线，倾力打造"首个功率半导体封测工艺生产

任意并联，单机功率500kVA，最高可扩容至10MW，并机性能稳定。A2000系列基于全SiC设计，整机硬件模块化，实现294kVA/m³超高功率密度，体积小重量轻，使用友好。产品稳定性高，结构简单

形成涵盖户用、工商业等多个应用场景的产品谱系，发展成为全球新能源领域技术领军的知名企业。安森美是全球领先的功率半导体企业，是目前为数不多具有端到端垂直整合能力的大型 SiC(碳化硅) 供应商。同时

(SiC)等宽禁带器件和驱动类产品正在推进功率密度不断提升，系统成本进一步降低，同时实现更多的功能。技术迭代助推光伏度电成本持续降低。从发展趋势来看，光伏系统的进展呈现出五大特点：1)采用大尺寸、高效率
紧密合作，提供可靠的产品及服务。图：纳芯微光储系统解决方案总览纳芯微的产品覆盖广泛，包括：SiC功率半导体、隔离/非隔离驱动芯片、隔离电流/电压采样芯片、霍尔电流传感器、数字隔离器、隔离接口芯片、通用

/DC放电，然后通过逆变器回路DC/AC输出交流电到电网。上述系统的DC/AC或DC/DC部分，都是通过功率器件和驱动电路实现的，其中用到的功率器件，如MOSFET、碳化硅(SiC)或IGBT等，驱动

制造企业，积极推进SiC、GaN等第三代半导体技术研发和产业化。2．智能终端。依托比亚迪电子、中兴通讯、创维、华勤等企业，积极引进关键芯片、摄像头、天线、触控面板等相关配套企业，做大智能终端产业规模，加快
方向集成电路：布局第三代半导体生产线，重点引进8/12英寸硅衬底生产线，谋划引进6英寸SiC衬底和8英寸Si基GaN外延片生产线，引进光掩膜、高纯溅射靶材、湿电子化学品、特种气体及封测材料与设备、刻蚀设备