罗姆在PCIM Europe 2014并设的会议上，发表演讲介绍了耐压为1200V的沟道型SiC MOSFET的情况，除了这种MOSFET的特点以外，还公布了实用化时间，计划从2014年秋季开始陆续样品供货。该公司此前已经投产了平面型SiC MOSFET，此次是首次投产沟道型SiC MOSFET。即使在功率元件行业，估计这也是首次实现沟道型SiC MOSFET的实用化。
沟道型SiC MOSFET的优点是，与原来的平面型相比可轻松降低导通电阻。由此，在获得相同的电流容量时，与平面型相比，沟道型需要的芯片面积更小。如果可以减小芯片面积，那么一片SiC晶圆能够获得的芯片数量就会增加，因此能提高生产效率，有助于削减成本。
由于具有这样的优点，各大半导体厂商都在积极研发沟道型SiC MOSFET。其中，罗姆的特点是采用了不仅在栅极、在源极也设有沟道的“双沟道型”。与只在栅极设有沟道的普通沟道型SiC MOSFET相比，双沟道型SiC MOSFET可以缓和电场集中现象、不容易破坏栅极氧化膜。据罗姆介绍，采用双沟道型后，单位长度的电场强度（单位为MV/cm）可以减弱35％左右。
罗姆还特别强调了可削减电容成分这个特点。据介绍，与耐压为1200V、导通电阻为80mΩ的罗姆平面型SiC MOSFET产品相比，相同耐压和相同导通电阻的沟道型MOSFET可将输入电容Ciss降低约70％。耐压为1200V、导通电阻为40mΩ的沟道型SiC MOSFET的输入电容则比平面型SiC MOSFET产品降低约35％。
在演讲中，罗姆着重宣传了沟道型SiC MOSFET的高可靠性。比如，在栅极氧化膜的可靠性指标“HTGB”中，可加载的栅极电压范围很大。罗姆以前的平面型SiC MOSFET为-6～+22V，而沟道型SiC MOSFET则扩大至-10～+22V。
罗姆还强调了沟道型SiC MOSFET在高温多湿环境下的可靠性。比如，在环境温度为+85℃、湿度为85％的环境下，即使向漏极与源极之间加载1000个小时的960V电压，也就是1200V额定电压的80％，沟道型SiC MOSFET也能正常工作。罗姆表示，设置在室外的光伏逆变器等对高温多湿环境下的可靠性要求非常高。其中，设置在寒冷地区湖边的逆变器对防结露性的要求很高、设置在东南亚的逆变器则对耐高温高湿的要求非常高。
罗姆将推出的产品主要分为耐压1200V和650V两种，备有电流容量（导通电阻）不同的多款产品，将从2014年秋季开始陆续提供样品。这些产品均采用TO247封装。
沟道型SiC MOSFET的优点是，与原来的平面型相比可轻松降低导通电阻。由此，在获得相同的电流容量时，与平面型相比，沟道型需要的芯片面积更小。如果可以减小芯片面积，那么一片SiC晶圆能够获得的芯片数量就会增加，因此能提高生产效率，有助于削减成本。
由于具有这样的优点，各大半导体厂商都在积极研发沟道型SiC MOSFET。其中，罗姆的特点是采用了不仅在栅极、在源极也设有沟道的“双沟道型”。与只在栅极设有沟道的普通沟道型SiC MOSFET相比，双沟道型SiC MOSFET可以缓和电场集中现象、不容易破坏栅极氧化膜。据罗姆介绍，采用双沟道型后，单位长度的电场强度（单位为MV/cm）可以减弱35％左右。
罗姆还特别强调了可削减电容成分这个特点。据介绍，与耐压为1200V、导通电阻为80mΩ的罗姆平面型SiC MOSFET产品相比，相同耐压和相同导通电阻的沟道型MOSFET可将输入电容Ciss降低约70％。耐压为1200V、导通电阻为40mΩ的沟道型SiC MOSFET的输入电容则比平面型SiC MOSFET产品降低约35％。
在演讲中，罗姆着重宣传了沟道型SiC MOSFET的高可靠性。比如，在栅极氧化膜的可靠性指标“HTGB”中，可加载的栅极电压范围很大。罗姆以前的平面型SiC MOSFET为-6～+22V，而沟道型SiC MOSFET则扩大至-10～+22V。
罗姆还强调了沟道型SiC MOSFET在高温多湿环境下的可靠性。比如，在环境温度为+85℃、湿度为85％的环境下，即使向漏极与源极之间加载1000个小时的960V电压，也就是1200V额定电压的80％，沟道型SiC MOSFET也能正常工作。罗姆表示，设置在室外的光伏逆变器等对高温多湿环境下的可靠性要求非常高。其中，设置在寒冷地区湖边的逆变器对防结露性的要求很高、设置在东南亚的逆变器则对耐高温高湿的要求非常高。
罗姆将推出的产品主要分为耐压1200V和650V两种，备有电流容量（导通电阻）不同的多款产品，将从2014年秋季开始陆续提供样品。这些产品均采用TO247封装。
索比光伏网 https://news.solarbe.com/201405/22/217636.html
