成熟。
关于芯长征:致力于打造国际领先的功率半导体标杆品牌
芯长征科技成立于2017年,是一家专注于新型功率半导体器件设计与开发的公司,核心业务包括IGBT、Cool Mos,SiC等芯片产品及技术开发
、太阳能光伏等关键场景,各类MOS、IGBT和SiC系列产品均已获得行业标杆客户认可,并批量出货。2019年下半年,公司已完成了中高端模块自有产线的建设,已具备模块自主设计及制造能力。
国内资深的功率
工艺水平,提升电子级硅材料及硅片自主配套能力。整合现有科研院所及高校资源,联合芯片设计和制造企业,积极推进碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体技术研发和产业化,着重布局从衬底和外延材料、器件设计
。整合现有科研院所及高校资源,联合芯片设计和制造企业,积极推进碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体技术研发和产业化,着重布局从衬底和外延材料、器件设计和工艺到模块及电路应用的宽禁带半导体
技术升级助力降本增效:在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统 10%左右,却是系统能量损耗的主要来源之一,使用SiC MOSFET功率模块的光伏 逆变器转换效率可从96%提升至99
SiC芯片,功率半导体模块生产线新增产能400 万片/年。预计接下公司光伏逆变器的产品营业收入将持续快速增加。
同时,国内首批IGBT公司之一宏微科技,自研IGBT芯片也已达行业
。公司已进入华为光伏供应链。此外,据了解,国内中车时代半导体公司,已成为国际少数同时掌握大功率晶闸管、IGCT、IGBT及SiC器件及其组件技术的集成企业代表,拥有国内首条、全球第二条8英寸IGBT芯片
管理 400V 电池组的电源转换?
除了具有系统控制和通信功能的微型计算机将ESS纳入更大的系统之外,低损耗和高效的电源开关也提高了储能系统的安全性和可靠性。基于碳化硅 (SiC) 和氮化镓
SiC 和 GaN 等宽带隙半导体在解决电源转换系统方面发挥着重要作用,这些系统可以处理随着转换器增加功率密度和降低开关损耗而不断上升的电池电压范围。... 电源转换系统还允许电池组更好地管理
今天上午,期待已久的三安湖南碳化硅生产基地正式点亮投产。 据介绍,该项目总投资高达160亿元,是全国首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链,其中碳化硅晶圆的年产能达到36万片。 该项目的投产将为全球碳化硅产业带来哪些影响?未来三安碳化硅将如何布局?今天为大家剖析三安的4大超级现象。 三安超级速度: 千亩基地一年建成 6月23日上午,湖南三安半导体正式点亮投产。 三安光电
的碳化硅(SiC)技术应用,整体保护逻辑强化,纹波抑制技术,以及独立隧道式散热技术应用等。 另外,像 AFCI 功能、熔丝+断路器的冗余保护等技术的植入,从各个方面,无一不体现
《全球光伏》了解到,Fraunhofer ISE采用3.3 kV 碳化硅SiC晶体管开发了250千瓦逆变器堆栈,可以将逆变器直接连接到中压电网。
随着能源过渡的进行,电网的扩展变得越来越重要
网。
弗劳恩霍夫太阳能系统研究所在 SiC-MSBat项目中,研究人员与合作伙伴开发并成功调试了一种高度紧凑的SiC逆变器,凭借SiC逆变器的高控制动态特性,可以承担电网稳定
线。初步涉足3C产业自动化,完成的CNC上下料自动化设备已成功上线使用,运行稳定。半导体8英寸SiC晶圆的DOA-270型退火炉已研制与承接完成。捷佳伟创的整厂自动化方案,通过对AGV小车、货架、对接