日本风险企业Sicoxs开发出了低成本生产制作SiC功率元件使用的SiC单晶基片的新方法，主要是通过减小SiC单晶体的厚度来削减成本。据介绍，采用新方法后，可将制造成本降至原来的1/2以下。
制造方法如下。首先，将单晶SiC基片贴合在多晶SiC基片上。然后，一边加热一边将单晶基片从多晶基片上剥离，剥离时使单晶基片的一部分留在多晶基片上。对单晶基片还粘在多晶基片上的部位实施研磨等处理，然后作为制造功率元件使用的基片出货，制造功率元件时，将元器件结构设置在单晶SiC上。
将剥离下来的单晶基片再次贴到多晶基片上，然后进行上述操作。反复进行这一系列操作后，就能由一块单晶基片制作出多块超薄基片，从而降低了每块基片的成本。
Sicoxs还利用通过这种制造方法制作的薄型SiC基片试制出了二极管。据介绍，京都大学大学院工学研究科电子工学专业副教授须田淳的研究团队对该试制品进行了评估，完全可以正常工作。
另外，该技术的详细情况已在SiC相关国际学会“ICSCRM 2013”（宫崎县，2013年9月29日～10月4日举行）上发表。
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