SiC
器件;3.使用更有性价比的功率器件，如在高功率产品中使用SiC以提升能效;4.优化电路设计，改善系统能效，例如缩短IGBT到电容之间的距离，以减少杂散电感和尖峰电压，进而延长系统寿命等。
发展现状、铸锭单晶技术进展与实证电站分析、碳/碳复合材料在单晶热场中的作用与思考、新型碳纤维保温材料的推广及应用、SiC晶体生长及展望等技术进行了深入探讨，现场互动不断，畅所欲言，这种以创新驱动、拓宽
首家!阳光推出可量产车用全SiC电机控制器》。老红过去知道电驱、电控、电池是电动车行业的三大基础技术，可怎么也没想到光伏行业的阳光电源一夜之间跨界进入电动车行业，还成为国内首家开发出使用第三代宽禁带
功率半导体(单管SiC MOSFET)并联技术的电机控制器企业。据悉，此前国际上批量应用此技术方案的仅特斯拉一家。更让人惊喜的是6月11日的《逆势升级 小蚂蚁牵手阳光再造标杆力作》和6月17日的
典型总体精度和线性度 图5：HMSR响应时间 然而，如果没有快速的响应时间做支撑，只有高精度依然美中不足。目前，快速IGBT，比如SiC，可以工作在更快的开关频率下 HMSR
输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)的研究人员周林、李寒江、解宝、李海啸、聂莉，在2019年第20期《电工技术学报》上撰文指出(论文标题为SiC MOSFET的Saber建模
及其在光伏并网逆变器中的应用和分析)，SiC MOSFET高频、高效、高功率密度的特性符合光伏逆变器的发展趋势，但随之而来的开关振荡问题亟待解决。开关频率提升后，由于开关振荡的存在，可能导致高频下的
起，高效多晶因为其效率提升稳定，成本增加少迅速取代传统铸造多晶和准单晶产品。以形核/孵化材料不同区分半熔和全熔，半熔高效多晶形核材料为同质多晶硅，全熔高效多晶形核材料为异质材料如SiO2/SiC等
功率开关器件之间连接线很短，可以减少电路中的杂散电感，提高逆变器的可靠性。 (4)1200V 的IGBT和1200V的SIC二极管相结合，开关频率更高，可以提高效率，减少电感的容量。 (5)相对于
晶体管，它集中了GTR和MOSFET的优点，驱动电路简单和开关频率高，和MOSFET相似，输出电流大和GTR相似，第五代是加入SIC碳化硅材料的MOSFET和IGBT以及碳化硅肖特基二极管。
碳化硅
(SiC)器件属于宽禁带半导体组别，与常用硅(Si)器件相比，有许多优势：一是耐高压，碳化硅器件具备更高的击穿电场强度，最高耐压可达10kV，比硅(Si)器件耐压提高了几倍;二是耐高温，其最高结温可达
熔铸锭过程中如何保留住籽晶是关键。目前普遍使用的籽晶类型有异质形核和同质形核两种类型。异质形核有SiC、SiO2、Si3N4、C颗粒等。同质形核的硅质材料主要有碎硅片、硅颗粒和硅粉等。戚凤鸣等采用
SiC-SiO2复合颗粒铺设在坩埚底部作籽晶，能显著降低硅锭中下部的氧含量。常州天合的康海涛等用两面均涂有硅氧层-硅氮层的单晶硅片，诱导形核来抑制位错，降低多晶硅材料体内缺陷。籽晶料种类见图3。
2.2
，具有切割效率高、环保、适合于薄片切割及硅料利用率高等优点，但表面损伤层浅且有较多粗线痕;砂浆线切割多晶硅片利用三维切割方法，采用不锈钢丝将SiC微粉及聚乙二醇等带入切割区进行磨削切割的方法，具有表面
