SiC材料

继续负责所有中央工程支持服务以及业务开发和产品管理。首席技术官P.S. Raghavan博士将继续领导碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）应用技术的开发。GTAT还强调，HiCz多晶硅产品最终的开发及测试
活动将迁移至其新罕布尔州梅里马克厂，并且其位于圣路易斯的HiCz材料试验制造厂将闲置，将损失约三十五个工作岗位。该公司重申，其正在寻找一个战略合作伙伴以收购圣路易斯的运营，并支持其未来推出的HiCz

第二批金太阳示范工程的申报材料，这意味着全国范围内的第二批金太阳示范工程即将启动，仍将扩容。虽然，该工程接下来仍会扩容，但很多开发商目前正苦于找屋顶，热中有忧。此外，之前盛传的所谓度电补贴也由于种种原因
环境评估机构（SEA）审核的太阳能发电项目装机量有1.29GW。绝大部分太阳能项目计划并入国家北部电网（SING），约有2.9GW。另外，有400MW的项目计划并入中央电网（SIC）。　　点评：SIC

领导公司在碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)，以及其他新兴晶体技术领域日益扩大的重点业务，充分利用极特先进科技公司的核心能力，为公司的多元化战略提供支持。 Gutierrez最后总结说：这些举措的目的是
和硅晶体生长系统以及相关材料的全球领先供应商，服务于太阳能、LED和其他专业市场。公司的产品和服务帮助客户优化制造环境并降低运营成本。如欲了解更多有关极特先进科技公司的信息，请访问www.gtat.com。

刻蚀剂，与硅反应后生成具有挥发性的SiF4，后面还将详细介绍。5.1.2刻蚀技术的分类及特点刻蚀是采用化学或物理的方法，有选择地从半导体材料表面去除不需要材料的过程。通常刻蚀技术分为湿法腐蚀和干法刻蚀
两种。1.湿法腐蚀湿法腐蚀是通过化学溶液与被刻蚀材料发生化学反应而去除被刻蚀物质的方法。湿法刻蚀的特点是各向同性，但会因存在侧向腐蚀而产生底切现象，从而导致线宽失真，特别是微细线条的刻蚀更为困难，因此

孤岛效应"测试等各种新规范。在对硅基MOSFET等新材料的要求方面，SiC技术在碳化物领域发生了显著的改变，使得MOSFET(金氧半场效晶体管)的生产能力远超出了相类似的硅绝缘栅双极型晶体管
。新的标准在各种程度上对光伏逆变器提出了不同的要求：对效率、成本及稳定性等关键特征的发展;与碳化硅、氮化镓等新材料的兼容性;与微型逆变器等创新型技术的整合;有效的最大功率点跟踪控制功能;以及遵循如"反

界和杂质最集中的微晶区域会显著影响材料的电学性能，并最终影响电池性能；另一方面，由于多晶硅中各部分缺陷和杂质分布的不均匀性，造成单片多晶硅片性能上的明显差别，研究表明，其少子寿命最低区域对电池性能具有
热处理过程，会加速晶界和位错对杂质的偏聚和沉淀。所以，微晶和分布晶区域是少数载流子的强复合中心，会导致材料电学性能的严重下降。如上图硅片少子寿命扫描图。对微晶和分布晶区域SEM和EDS分析显示，在微晶和分布晶

。但最常遇到的根本原因为，ＳｉＣ的切割强度偏低或者ＳｉＣ圆度系数过高即ＳｉＣ颗粒形状较圆，锋利的棱角较少。ＳｉＣ的强度在其原料生产时便决定了，ＳｉＣ的微粉化并不会改变其强度。如果ＳｉＣ本身材料的强度
硅（ｓｉ）和 氮（Ｎ）；硅片基体成分能谱图（右）只含硅（ｓ１）元素成分；由分析可知硬点的成分为SiC和SixNy。此线痕与硅片切割的工艺和辅料无关，主要取决于多晶铸锭的原料和工艺。多晶铸锭前须先对坩埚

量产/普及的关键材料，和现行使用于二极体、电晶体等半导体元件的矽晶圆相比，SiC晶圆可将电力变换过程中的电力损失量减半，且其耐电压性和耐热性也优于矽晶圆。新日铁表示，随着6吋SiC晶圆的研发成功，不但

观摩了研发平台，详细了解了联合实验室和项目部组织形式、产品性能、产业化进展、产出成效等情况。中国科学院上海硅酸盐研究所索尼联合实验室主任李勇明介绍了联合实验室在染料敏化纳米晶太阳能电池关键材料开发中
取得的重要进展以及未来产业化目标。联合实验室研制的染料敏化太阳能电池主要原材料低廉的成本优势为其产业化进程铺平了道路。中国科学院上海硅酸盐研究所康宁联合实验室主任陈立东介绍了联合实验室的筹备过程

销售区域认证。而随着公司产能的扩张，可有效降低原材料成本，光伏项目将成为公司未来业绩增长的重要引擎。中国南车光伏逆变器实现高海拔并网发电据悉，日前，由中国南车株洲所自主研制的GTI-500型光伏逆变器
，市场份额仍达80%以上。薄膜电池有成本低，质量轻，透光性较好，柔韧性好，易于与建筑材料集成的特点，在建筑一体化（BIPV）领域具有显著的应用优势。CPV技术因其转化效率高、土地占用面积小，节能减排效果