SiC材料
业绩约100MW。禾望电气的升压模块采用Sic材料Mos管替代传统的IGBT模块，实现耐高频、高压、高温特性，转换效率较高；从汇流箱端实现每2路并联支路就有1路MPPT跟踪。同时，产品具备零电压穿越
，国内最早应用集散式方案的是禾望电气，至今已经超过两年，累计业绩约100MW。 禾望电气的升压模块采用Sic材料Mos管替代传统的IGBT模块，实现耐高频、高压、高温特性，转换效率较高;从汇流箱端
上下足了功夫。在工艺、硬件、软件上都对集散式汇流箱进行了有效的保护。 工艺上：加强机柜涂层、增加反射材料等; 硬件上：采用SiC汇流箱可在55℃环境下稳定运行，器件寿命保证25年使用年限，且
，累计业绩约100MW。 禾望电气的升压模块采用Sic材料Mos管替代传统的IGBT模块，实现耐高频、高压、高温特性，转换效率较高；从汇流箱端实现每2路并联支路就有1路MPPT跟踪。同时，产品具备零
是禾望电气、无锡上能、大族逆变。其中，国内最早应用集散式方案的是禾望电气，至今已经超过两年，累计业绩约100MW。禾望电气的升压模块采用Sic材料Mos管替代传统的IGBT模块，实现耐高频、高压、高温特性
City的新组件可增加30-40%的发电量，而且适应高温的能力也得到加强；比如在能源的转化领域，作为第三代半导体材料的宽禁带SiC器件在击穿电场、电子饱和速度、热导率等方面，比硅基材料具有明显优势，由此
/北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室A02组（功能晶体研究与应用中心）的博士生芦伟和朱开兴在研究员郭丽伟和陈小龙的指导下，发展了基于SiC粉末制备石墨烯/SiC核壳异质结材料（GCSP
硅片切割技术
目前硅片切割技术多采用多线切割技术，相比以前的内圆切割，有切割效率高，成本低，材料损耗少。目前硅片能够切出的最薄度在200um左右。实际太阳能电池的最佳性能厚度是在60-100um.
平分各占成本33%左右，现在由于电池工艺和组件制造方面技术的改进，三者成本分布分别为50%，25%25%（成本）；在硅片切割过程中材料损失越位50%，浪费严重（材料节约）。因此对硅片技术进行研究，研讨
项发明专利。
在赵为博士的带领下，研发团队一直与国内外半导体龙头企业保持密切合作，并建立联合实验室。团队建立了完善的功率测试平台，通过对功率半导体晶圆及封装材料特性、寄生参数等进行认知研究，使
半导体器件技术与电力电子技术深度融合。阳光电源率先在逆变器中规模应用了最新的SiC器件，三电平IGBT模块。
在产品全线效率99%的道路上，团队围绕降损提效成立专案组，将设计方案的每个环节
半导体材料。而且碳化硅材料对电力的能耗极低，按照如果年产40万片碳化硅晶片衬底的计划，仅仅应用在照明领域，每年减耗的电能就相当于节约2600万吨标准煤，是一种理想的节能材料。 单晶碳化硅（SIC）和
