SiC材料

摘要:在太阳能多晶铸锭中，如何降低硬质点占比一直是一个重要课题，硬质点的多少直接影响后续切片加工的断线率。大家普遍认为，多晶铸锭中硬质点主要为硅团簇，SiO2，SiC，Si3N4等混合物，其形成与投
炉原材料有着重要的关系。本文介绍了多晶原料及低等级原料的使用。经研究分析，原生多晶和低等级料在每次投炉中的最佳使用量，以权衡生产成本与品质。 目前，原生多晶是多晶铸锭选用的主要原料，经装料、铸锭、切

。 SiC作为下一代功率半导体的核心技术方向，与传统Si-IGBT模块相比， SiC功率模块最主要优势是开关损耗大幅减小。对于特定逆变器应用，这种优势可以减小逆变器尺寸，提高逆变器效率及增加开关频率
。目前，基于SiC功率器件逆变设备的应用领域正在不断扩大。但受制于成本因素，目前SiC功率器件市场渗透率很低，随着技术进步，碳化硅成本将快速下降，未来将是功率半导体市场主流产品。 (图五

用于光伏硅材料、蓝宝石等硬脆材料切割，而该等材料的主要传统切割方式为砂浆切割。因此，金刚线行业的市场空间主要取决于两个因素：一是金刚线对传统砂浆切割的替代程度，二是光伏行业、蓝宝石行业的发展状况
。 (1)金刚线切割对砂浆切割的替代情况 硅的莫氏硬度为 6.5，蓝宝石莫氏硬度为 9，因此，对硅、蓝宝石等材料的物理加工工具的硬度有较高要求。硅材料、蓝宝石的传统切割工艺主要为砂浆切割，该工艺是以

IGBT、MOSFET等功率开关管，以及变压器、电感等磁性器件。损耗和元器件的电流，电压以及选用的材料采取的工艺有关系。 IGBT的损耗主要有导通损耗和开关损耗，其中导通损耗和器件内阻、经过的电流
技术路线：一是采用空间矢量脉宽调制等控制方式，降低损耗，二是采用碳化硅材料的元器件，降低功率器件的内阻，三是采用三电平，五电平等多电平电气拓扑以及软开关技术，降低功率器件两端的电压，降低功率器件的开关频率

够清晰观察。 体缺陷有很多种类，常见的有包裹体、气泡、空洞、微沉淀等。这些缺陷区域在宏观上与晶体其他位置的晶格结构、晶格常数、材料密度、化学成分以及物理性质有所不同，好像是在整个晶体中的独立王国
相称为夹杂物。应用电子探针和扫描电子显微镜观察到直拉或者区熔硅单晶中，存在α-SiC和β-SiC颗粒，其尺寸由几个微米到十几个微米。 3、孔洞 硅单晶中存在的近于圆柱形或球形的空洞。在硅单晶机械