SiC材料
2022年，缺芯问题依然没有得到缓解，各类原材料价格也依旧维持在高位，2月爆发的俄乌冲突更是扰乱了世界能源格局，也严重冲击产业链各个环节，进一步加剧了供应链的错配。国内常态化疫情防控也在一定程度上
影响产业链运转，冲击消费端需求。
数据来源：Counterpoint，哔哥哔特资讯整理
俄乌冲突爆发后，进一步加剧了供应链的紧张程度，扰乱了世界能源格局，推高了各类原材料价格。但从
发展方向是速度更快，功能更强，效率更高。功率器件材料发展较快，正在由传统硅基功率器件向宽禁带材料(SiC、GaN)功率器件发展，碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料。可以这样比喻，硅基材料好比
，目前常见的有两种办法：
一是降低组件工作电压。
二是提高电站的电压等级，近年来光伏电站电压等级从1000V提升至1500V，就必须使用第三代半导体材料也就是碳化硅功率器件。据了解，目前业内在研发
密不可分。
这时，宽禁带半导体的优势就显现出来了。碳化硅(SiC)的击穿电压是传统硅器件的十倍以上，并具有比硅更低的导通电阻，栅极电荷和反向恢复电荷特性，以及更高的热导率。这些特性意味着SiC器件
。 第三代半导体材料碳化硅(SiC)的机会来了。 半导体迭代的区别只取决于其材料。如果说第一代硅材料半导体已经接近完美晶体，那么以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体具备更优异的材料物理特性，为进一步提升
董事长朱阳军表示：在我最开始的计划中，本次融资是没有打算用FA服务的，是逸非和指数资本团队的专业认知和职业精神打动了我。随着合作的深入，指数资本的服务能力不断超出我的预期。不论是材料制作的专业度，对外精准
国产化，但是整体以中低端产品为主，高端功率半导体领域在产品技术性能、多样性等方面与国际领先水平仍存在差异，如MOSFET、IGBT等高附加值产品依然较大程度上依赖进口，高端、新材料器件国产替代尚未
工艺水平，提升电子级硅材料及硅片自主配套能力。整合现有科研院所及高校资源，联合芯片设计和制造企业，积极推进碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体技术研发和产业化，着重布局从衬底和外延材料、器件设计
。整合现有科研院所及高校资源，联合芯片设计和制造企业，积极推进碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体技术研发和产业化，着重布局从衬底和外延材料、器件设计和工艺到模块及电路应用的宽禁带半导体
一带一路海外市场。深度融入一带一路建设，推动半导体及集成电路、光伏、现代中药等优势领域产品出口，进一步提升高新技术产品和机电产品出口比重。积极组织航空航天、新材料、光伏等行业企业走出去，开展国际产能合作
新增装机已达到 17.5GW， 随着不断有光伏电站进入存量技改时期，替换需求将持续增长。
(二)优化空间一：产业链国产化叠加技术升级迭代，国产加速出海
光伏逆变器原材料成本刚性，是降本核心
重点。光伏逆变器原材料成本占比高达80%以上，主要包括电子元器件、机构件以及辅助材料，产品定价主要基于成本 加成、品牌定位及对当地市场竞争态势等因素综合判断。
(1)产业链国产化推动采购成本下降：国内
现有积压订单;此外，赛灵思也发布通知称，将会提高2021年11月1日及之后所有当前和未来的订单、所有报价和所有发货的价格。
短期内难以缓解的芯片涨价和缺货，对于国内逆变器厂家的核心原材料
采购，再度带来不利影响。
二、逆变器厂家受压力传导，陷入两难
芯片端价格上提早已传导至国内逆变器行业。今年上半年，为了分担原材料成本上涨压力，国内多家光伏逆变器公司都宣布了不同程度的提价
低下。
这就是具有快速开关和高功率密度的宽带隙材料(例如 SiC 和 GaN)发挥作用的地方。这些半导体器件促进了不需要风扇冷却的系统设计。具有内置驱动器和保护功能的 LMG3425R030
管理 400V 电池组的电源转换?
除了具有系统控制和通信功能的微型计算机将ESS纳入更大的系统之外，低损耗和高效的电源开关也提高了储能系统的安全性和可靠性。基于碳化硅 (SiC) 和氮化镓
