SE工艺

。 同时，光伏设备国产化进程提速，也推动了电池技术的进步。工艺高度集成于装备。技术突破和装备国产化，对光伏高效电池技术进步有很大促进作用，进而促进我国光伏产业生产成本快速下降。王世江表示，目前，在常规
、高效优点的Topcon技术有助于高效电池降本提效;LPCVD设备工艺优势明显，高效的成膜速率可缩短工艺时间。 电池核心技术有待突破 不过，多位与会专家还表示，虽然光伏行业在电池技术及关键设备领域

刻蚀去背结。再经过管式PECVD制作氮化硅减反射膜,PECVD过程中分别采用传统双层膜工艺和本文设计的三层膜工艺各做一组实验,采用Sentech的SE400测试监控氮化硅膜的折射率以及厚度。传统双层

非SE电池效率提升0.4%。 摩尔光伏实验数据显示，通过优化激光掺杂选择性发射极太阳电池制备工艺，采用SE技术后，既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命，能实现电池片

)等工艺技术的快速突破与推广应用，大幅提高了投料量和单炉产量，显著降低了拉晶成本。随着国内企业在连续拉晶(CCz)方面的持续研发投入，CCz拉晶工艺不断取得突破，其生产效率可以做到RCz的1.3倍以上
双面PERC 电池的基础上进一步导入了选择性发射极技术(SE：Selective Emitter)，使得一线企业的PERC 电池产线平均效率提升到22%左右。 在2018 年亦有多家HJT 电池产

PERC产线，预计2019年底有效产能可超过9GW，2020年有效产能可超过13GW。爱旭科技单晶PERC产品成熟地运用了SE、双面双测等工艺技术，性能优异，量产转换效率超过行业平均水平，经过市场的

(schmid，centrotherm) 特点：要求掩膜的印刷特性要好，抗氢氟酸要好，容易清除。工艺步骤简单。困难在，扩散均匀，印刷对齐。schmid 的腐蚀法SE 电池交钥匙工程
所谓选择性发射极(SE-selectiveemiter)晶体硅太阳电池，即在金属栅线(电极)与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高光线的短波响应

，72片组件主流需求迈向380-390W。面对即将到来的400W时代，协鑫集成鑫单晶叠瓦组件使用最新铸锭单晶158.75mm电池，电池量产平均效率21.8%(无SE)，铸锭全方片，相比单晶直角结构为
电池工艺下，72片组件功率差在5W以内。光衰方面，鑫单晶硅片氧含量约为直拉单晶含量50%以下，有效降低硼-氧复合体带来的光致衰减，多晶的光衰带来单晶的效率。而且，鑫单晶硅片电阻率分布更加集中，有利于

。 该SE技术与其他SE技术相比，具有设备投资成本低、工艺兼容性高、产品一致性好等优势。通过持续工艺优化，单晶SE电池的平均转换效率已经超过18.8%，在全球采用SE技术实现量产的公司中属最高

。2018年，他们又先后报道了效率为23.6%和23.95%的电池，成为光伏行业的里程碑。在PERC电池的制备工艺中，背部电极的设计和金属电极与硅基底之间形成良好的欧姆接触是两个关键的步骤。目前实现
有很好的钝化效果。这种前面无遮挡的太阳电池不仅转换效率高，而且具有外形美观等优势，适合应用于光伏建筑一体化，具有极大的商业化前景。目前IBC电池是商品化晶体硅电池中工艺最复杂、结构设计难度最大的电池