RIE设备

走进国家电投太阳能电力有限公司西宁分公司太阳能电池生产车间，听不见轰隆隆的机器声响，智能设备生产线上，太阳能电池正在经历着硅片清洗制绒、等离子刻蚀、丝网印刷、烧结等一道道工序。随着光伏产业如雨
2011年投产以来，不断在生产、技术、设备、研发、管理等方面进行着创新和升级，通过在新型网版设计、扩散优化、采用多层膜等方面的工艺提升，使产品实现着一次又一次质量飞跃。将科技创新化为生产动力，新技术的

（RIE）或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6／O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面
结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同，管式PECVD通常采用

显著。黑硅技术设备商常州比太科技CEO上官泉元表示：今年比太已预期接获1GW的订单，不论是在量产性、或是导入成本与提效的效果上，RIE都是目前最成熟、也最能获得效益的黑硅技术。从目前比太与P型技术领导
离子反应法（Reactive Ion Etching，RIE）技术与湿法制绒的金属催化化学腐蚀法（metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE）各据一方。除了能解决外观问题

反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片
多晶铸锭成本均主要由设备折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成，单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前，多晶铸锭主流炉型G6的投料量在800kg左右，已逐步接近规模与成本兼顾的临界值

切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等
有绝对优势。 二、铸锭与拉晶成本对比 单晶拉棒与多晶铸锭成本均主要由设备折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成，单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前，多晶铸锭主流炉型G6的

需额外购置昂贵设备，成本因素使其目前难以成为主流产品，仍需2~3年的时间酝酿。P型单晶产品虽有上述价格、封装成组件损失、光衰等问题，但这些问题在2015年下半都逐渐获得改善。P型单晶电池的价格逐渐逼近
270W-275W，故单晶组件实现领跑者计划的需求相对容易、多晶组件则需依赖PERC或RIE等技术方能达标。目前中国政府已颁布的领跑者计划《大同采煤沉陷区光伏发电基地规划及2015年实施方案》，规划该示范基地规划

额外购置昂贵设备，成本因素使其目前难以成为主流产品，仍需2~3年的时间酝酿。 P型单晶产品虽有上述价格、封装成组件损失、光衰等问题，但这些问题在2015年下半都逐渐获得改善。P型单晶电池的价格逐渐
主流瓦数约在260W、单晶组件则在270W-275W，故单晶组件实现领跑者计划的需求相对容易、多晶组件则需依赖PERC或RIE等技术方能达标。 目前中国政府已颁布的领跑者计划《大同采煤沉陷区光伏发电